[发明专利]具有自适应CTAT偏置控制的放大装置在审

专利信息
申请号: 202010123270.7 申请日: 2020-02-27
公开(公告)号: CN112636709A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 赵济熙;崔圭珍 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 沈浩;钱海洋
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 自适应 ctat 偏置 控制 放大 装置
【说明书】:

本公开提供一种具有自适应CTAT偏置控制的放大装置,所述放大装置包括电流产生电路、偏置放大电路和补偿电路。所述电流产生电路被配置为基于内部电压产生内部电流。连接到所述电流产生电路的所述偏置放大电路被配置为将通过放大所述内部电流而产生的偏置电流输出到功率放大电路。连接到所述电流产生电路的所述补偿电路被配置为基于所述功率放大电路的偏置电压来调节所述内部电压。

本申请要求于2019年9月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0117719号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。

技术领域

以下公开内容涉及一种具有自适应与绝对温度互补(CTAT)偏置控制的放大装置。

背景技术

通常,诸如移动装置(包括移动电话)的通信系统包括用于放大信号的放大装置。

通常,放大装置可包括偏置电路和放大电路,偏置电路可产生将要提供给放大电路的偏置电压或偏置电流,而放大电路可接收偏置电流或偏置电压,并且可放大输入信号。

在传统的放大装置中,放大电路包括功率晶体管,并且偏置电路包括偏置晶体管。当放大装置操作时,放大装置的温度可随时间升高。由于功率晶体管通常产生比偏置晶体管大的电流,因此可能发生功率晶体管的温度比偏置晶体管的温度升高得相对更高的情况。

作为温度升高的结果,功率晶体管的阈值电压可相对低于偏置晶体管的基极-发射极电压降低到的电平。因此,与偏置晶体管的基极-发射极电压和功率晶体管的阈值电压的电压差对应的过驱动电压可能增大。随着过驱动电压增大,偏置电流增大,使得放大晶体管的集电极电流(或静态电流)也增大,从而导致放大电路中的电流消耗增加。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍,并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中,一种放大装置包括电流产生电路、偏置放大电路和补偿电路。所述电流产生电路被配置为基于内部电压产生内部电流。连接到所述电流产生电路的所述偏置放大电路被配置为将通过放大所述内部电流而产生的偏置电流输出到功率放大电路。连接到所述电流产生电路的所述补偿电路被配置为基于所述功率放大电路的偏置电压来调节所述内部电压。

所述电流产生电路可包括:第一恒压元件,具有连接到参考电流源的端子的阳极;以及接地电阻器,连接在所述第一恒压元件的阴极与地之间。所述内部电压可从所述第一恒压元件的所述阳极输出。

所述补偿电路可连接在所述功率放大电路的被提供所述偏置电流的输入节点与所述第一恒压元件的所述阴极之间。

所述电流产生电路可包括:源电阻器,具有连接到参考电流源的端子的一端;第一恒压元件,具有连接到所述源电阻器的另一端的阳极;第二恒压元件,具有连接到所述第一恒压元件的阴极的阳极;以及接地电阻器,连接在所述第二恒压元件的阴极与地之间。所述内部电压可从所述第一恒压元件的所述阳极输出。

所述补偿电路可连接在所述功率放大电路的被提供所述偏置电流的所述输入节点与所述第一恒压元件的所述阴极之间。

所述补偿电路可包括:低通滤波器,被配置为使直流分量通过并且阻隔交流分量。

所述补偿电路可包括:RC滤波器,被配置为使直流分量通过并且阻隔交流分量。

所述补偿电路可包括:电阻器元件,连接在所述功率放大电路的被提供所述偏置电流的所述输入节点与所述第一恒压元件的所述阴极之间;以及电容器元件,连接在所述电阻器元件的两个端子中的一个与地之间。

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