[发明专利]抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器

说明书

本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。

技术领域

本发明属于无线电系统技术领域，尤其涉及一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器。

背景技术

驱动放大器是无线电系统中发射链路的核心器件，其具有线性度高、输出功率较高的特点。但是驱动放大器输出功率过高会导致功率放大器过饱和，从而影响系统线性度及响应、恢复时间，同时隔离不当极易造成驱动放大器损坏。

随着电子技术发展与半导体工艺的进步，发射链路的线性度和发射功率要求越来越高，使得驱动放大器的抗过饱和限幅器的应用需求巨大。传统限幅器一般采用硅二极管，然而其尺寸大，难于单片集成且使用不灵活；而对于砷化镓限幅器，其耐功率低，且线性度较低，无法满足高功率、高线性、抗饱和以及限幅的要求。另外，传统反射式限幅器的防护原理是将高功率信号反射回功率源，极易造成前端器件的损坏，因而可靠性差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，旨在解决现有技术中驱动放大器无法同时满足集成度高、高线性、高功率的要求的问题。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种抗饱和限幅器，包括：多级限幅电路和多个功率负载；

所述多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除所述第一级限幅电路和所述最后一级限幅电路之外的限幅电路。

作为本申请另一实施例，所述每级限幅电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4；

所述二极管D1的阴极端和所述二极管D3的阳极端分别作为每级限幅电路的第一端的两个端口连接在输入端和输出端之间；

所述二极管D1的阳极端连接所述二极管D2的阴极端，所述二极管D2的阳极端连接功率负载后接地；

所述二极管D3的阴极端连接所述二极管D4的阳极端，所述二极管D3的阳极端接地。

作为本申请另一实施例，还包括：多个移相微带电路；

每个移相微带电路串接在两级限幅电路之间，用于增加限幅器的隔离度。

作为本申请另一实施例，所述多级限幅电路为三级限幅电路；

所述多个功率负载均为薄膜电阻。

作为本申请另一实施例，还包括：电感L1和电感L2，所述电感L1和所述电感L2为相同的电感；

所述电感L1连接所述第一级限幅电路的第二端的第一端口后接地；

所述电感L2连接所述最后一级限幅电路的第二端的第一端口后接地。

作为本申请另一实施例，所述电感L1和所述电感L2均为扼流电感。

作为本申请另一实施例，所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3和所述二极管D4均为GaN PIN二极管。

作为本申请另一实施例，还包括：SiC衬底；