[发明专利]制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

使用多个已量测的轮廓数据及多个已配合的约定模型项模拟一理想影像，该些已配合的约定模型项包括光学模型部分及光阻剂模型部分；

使用该些已配合的约定模型项及一遮罩布局以提供一约定模型空间影像；

使用该遮罩布局产生多个遮罩光栅影像，其中该些遮罩光栅影像是针对该些已量测的轮廓数据中的每一量测位点所产生；以及

训练一神经网络以模仿该理想影像；

其中模拟的该理想影像提供该神经网络的一目标输出，且其中该约定模型空间影像及该些遮罩光栅影像提供至该神经网络的输入。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该理想影像包括多个模拟的轮廓数据，该些模拟的轮廓数据实质上等于对应的该些已量测的轮廓数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在一给定量测位点的该些遮罩光栅影像具有不同的像素大小。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括回应于被训练的该神经网络，产生一经校准的微影模型。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该经校准的微影模型用以实施一光学临近校正制程、一反向微影技术制程或一遮罩制程校正制程。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被训练的该神经网络还包括产生对应于该理想影像的一加权矩阵。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被训练的该神经网络还包括使用该神经网络以模拟一影像。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，被训练的该神经网络还包括通过比较由该神经网络模拟的该影像与该理想影像而计算一目标函数。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：决定该目标函数的一计算值是否满足一目标位准，且基于该决定，提供一最终的机器学习辅助模型影像，其中该机器学习辅助模型影像实质上等于该理想影像。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：决定该目标函数的一计算值是否满足一目标位准，且基于该决定，使用一反向传播方法来调整该神经网络的一或更多个参数。

11.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

使用经校准的该微影模型以产生一经修改的遮罩布局图案；

基于该经修改的遮罩布局图案来制造一遮罩；以及

使用基于该经修改的遮罩布局图案的该遮罩以图案化一晶圆。

12.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

向一神经网络提供多个影像，其中该些影像提供该神经网络的一目标输出；

提供一空间/光阻剂影像及多个遮罩光栅影像作为至该神经网络的多个输入；

基于该目标输出及至该神经网络的该些输入，通过比较多个由神经网络产生的影像与该些影像而计算一目标函数，且该些影像包括多个理想影像，该些理想影像包括实质上等于对应的临界尺寸量测数据及轮廓量测数据的模拟临界尺寸数据及模拟轮廓数据；以及

在该计算该目标函数之后，产生一经校准的微影模型。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在一给定量测位点的该些遮罩光栅影像具有不同的像素解析度。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括产生针对该些影像中的每一影像的一加权矩阵。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该神经网络剪裁在对应于由该神经网络所处理的一像素的一区域中的该空间/光阻剂影像及该些遮罩光栅影像。