[发明专利]光传感器

权利要求书

1.一种传感器，包括：

多个像素，被布置在多个行和多个列中；

行控制电路装置，选择性地控制所述行中的哪一个行被激活；以及

列控制电路装置，选择性地控制所激活的所述行中的所述像素中的哪个像素要被激活，所述列控制电路装置包括存储器，所述存储器被配置为存储指示所述像素中的哪些像素有缺陷的信息，其中所述像素中的每个像素包括光电二极管和被配置为控制所述光电二极管的激活的多个晶体管，所述多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管被配置为至少部分地基于所述存储器由来自所述列控制电路装置的列启用信号控制，所述第二晶体管被配置为由来自所述行控制电路装置的行选择信号控制。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述光电二极管包括单光子雪崩二极管。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中所述行控制电路装置被配置为根据所述行选择信号向所激活的所述行中的所述像素中的每个像素提供控制信号，所述控制信号被配置为控制每个相应的像素中的所述光电二极管的猝灭。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中当提供给所述像素的所述第一晶体管的所述列启用信号也为高时，所述控制信号将仅使每个相应的像素中的所述光电二极管猝灭。

5.根据权利要求1所述的传感器，其中所述存储器被配置为输出所述列启用信号。

6.根据权利要求1所述的传感器，其中所述存储器包括状态机、连接到所述状态机的缺陷存储器以及活动存储器，其中所述缺陷存储器将指示所述多个像素中的哪些像素有故障，并且其中所述活动存储器限定在给定的读取操作中所述多个像素中的哪些像素是活动的。

7.根据权利要求1所述的传感器，其中对于每个像素，所述像素的所述多个晶体管包括列禁用晶体管，其中当所述列启用信号为低时，所述列禁用晶体管将导通，并且所述第一晶体管将不导通，这将跨所述像素中的所述光电二极管的电压减小到击穿电压以下。

8.根据权利要求1所述的传感器，其中对于每个像素，所述像素的所述多个晶体管包括行禁用晶体管，所述行禁用晶体管被配置为如果所述行选择信号为高，则导通，这将跨所述像素中的所述光电二极管的电压减小到击穿电压以下。

9.根据权利要求1所述的传感器，其中所述多个像素中的所述像素中的每个像素包括缓冲器，所述缓冲器包括串联布置的两个反相器。

10.根据权利要求1所述的传感器，其中所述传感器包括多个光子计数电路，所述多个光子计数电路被配置为对由所述多个像素中的每个像素检测到的光子进行计数。

11.根据权利要求10所述的传感器，其中所述多个光子计数电路中的每个光子计数电路由所述多个像素中的所述像素中的两个或多个像素共享。

12.根据权利要求1所述的传感器，其中所述行控制电路装置被配置为一次激活像素的单个行，使得行激活能够是顺序的或者所述行激活能够是随机的。

13.根据权利要求1所述的传感器，其中所述多个晶体管包括MOSFET晶体管。

14.根据权利要求12所述的传感器，其中对于每个像素：

所述像素的所述多个晶体管包括列禁用晶体管，其中当所述列启用信号为低时，所述列禁用晶体管将导通，并且所述第一晶体管将不导通，这将跨所述像素中的所述光电二极管的电压减小到击穿电压以下；并且

所述像素的所述多个晶体管包括行禁用晶体管，所述行禁用晶体管被配置为如果所述行选择信号为高，则导通，这将跨所述像素中的所述光电二极管的电压减小到所述击穿电压以下。