[发明专利]防窥装置在审
申请号: | 202010125962.5 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN113311601A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 陈谚宗;赖俊延 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1339;G02F1/1343;G02F1/1337;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种防窥装置,其特征在于,包括:
一第一衬底;
一第二衬底,与所述第一衬底相对设置;
一液晶层,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间;以及
多个主间隔单元,设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间,所述多个主间隔单元的任一个包括一上底和一下底,所述上底相对于所述下底,且所述上底较所述下底远离所述第一衬底;
其中所述下底具有一下底面积,所述防窥装置具有一装置面积,所述多个主间隔单元的所述下底面积的总和对所述装置面积的比值定义为一下底密度,且所述下底密度小于1%。
2.如权利要求1所述的防窥装置,其特征在于,所述下底密度为大于或等于0.05%以及小于1%。
3.如权利要求1所述的防窥装置,其特征在于,所述上底具有一上底面积,所述多个主间隔单元的所述上底面积的总和对所述装置面积的比值定义为一上底密度,且所述上底密度小于0.5%。
4.如权利要求3所述的防窥装置,其特征在于,所述上底密度为大于或等于0.02%以及小于0.5%。
5.如权利要求1所述的防窥装置,其特征在于,所述多个主间隔单元在所述防窥装置中为随机分布的。
6.如权利要求1所述的防窥装置,其特征在于,所述多个主间隔单元在所述防窥装置中沿着所述防窥装置的边缘分布。
7.如权利要求1所述的防窥装置,其特征在于,所述多个主间隔单元在所述防窥装置中的分布是将所述装置面积划分为多个区域。
8.如权利要求1所述的防窥装置,其特征在于,所述多个主间隔单元包括光阻材料。
9.如权利要求1所述的防窥装置,其特征在于,还包括:
一第一电极,设置在所述第一衬底与所述多个主间隔单元之间;
一第一配向层,其中所述多个主间隔单元位在所述第一电极与所述第一配向层之间;
一第二电极,设置在所述第二衬底与所述多个主间隔单元之间;
一第二配向层,设置在所述多个主间隔单元与所述第二电极之间;以及
至少一偏光片,设置在所述第一衬底表面或所述第二衬底表面。
10.如权利要求9所述的防窥装置,其特征在于,所述防窥装置在左视角45±5度的对比值大于15,在右视角45±5度的对比值大于15。
11.一种防窥装置,其特征在于,包括:
一第一衬底;
一第二衬底,与所述第一衬底相对设置;
一液晶层,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间;
多个主间隔单元,设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间,所述多个主间隔单元的任一个包括一上底和一下底,其中所述下底具有一下底面积和一直径X微米;以及
多个发光部分,分别对应所述多个主间隔单元的其中一个,并邻近于对应的所述主间隔单元的所述下底的边缘;
其中所述多个发光部分的任一个具有一发光面积,且所述发光面积对于所对应的所述主间隔单元的所述下底面积的比值定义为一发光区域比例Y,其中数值Y满足Y=0.0071*X-0.042。
12.如权利要求11所述的防窥装置,其特征在于,所述数值Y小于0.12。
13.如权利要求11所述的防窥装置,其特征在于,所述多个主间隔单元在所述防窥装置中沿着所述防窥装置的边缘分布。
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