[发明专利]基于Ga2 有效
申请号: | 202010126020.9 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111341841B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 董志华;周明;刘辉;王育天;李仕琦;刘国华;程知群 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/778;H01L31/101 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 陆永强 |
地址: | 310018*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 ga base sub | ||
1.基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管,其特征在于,至少包括漏极(1)、源极(2)、在衬底(6)形成至少一异质结构,以及设置该异质结构上的Ga2O3/TiO2复合悬浮栅,其中,所述异质结构的界面处形成异质结沟道,所述异质结沟道内可以形成二维电子气(5),所述二维电子气(5)受控于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅;所述Ga2O3/TiO2复合悬浮栅分布于源极(2)和漏极(1)之间,包括TiO2层(7)和设置在该TiO2层(7)上Ga2O3层(8);所述源极(2)和漏极(1)经所述异质结沟道电连接,其电流大小由所产生的二维电子气(5)决定。
2.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管,其特征在于,所述Ga2O3/TiO2复合悬浮栅受紫外光照射时,在TiO2层(7)一侧产生空穴,该空穴在异质结沟道中感应出二维电子气(5)。
3.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管,其特征在于,所述异质结构至少包括GaN层(4)和设置在该GaN层(4)上的AlGaN层(3),所述AlGaN层(3)和GaN层(4)的界面处形成异质结沟道。
4.基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
步骤S1:在衬底(6)上形成至少一异质结构,并形成异质结沟道,所述异质结沟道内可以形成二维电子气(5);该异质结构至少包括GaN层(4)和设置在该GaN层(4)上的AlGaN层(3);所述AlGaN层(3)的厚度低于足以产生二维电子气(5)的临界厚度;
步骤S2:在AlGaN/GaN异质结构形成TiO2层(7),在该TiO2层(7)上设置Ga2O3层(8),形成Ga2O3/TiO2复合悬浮栅结构;
步骤S3:制备源极(2)和漏极(1),并使所述源极(2)与漏极(1)经异质结沟道电连接,Ga2O3/TiO2复合悬浮栅极分布于源极和漏极之间;
步骤S4:利用台面刻蚀形成器件隔离;
步骤S5:制作源极、栅极、漏极引线。
5.根据权利要求4所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管的制备方法,其特征在于,所述源极(2)和漏极(1)分别与所述AlGaN/GaN异质结构形成欧姆接触。
6.根据权利要求4或5所述的基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管的制备方法,其特征在于,在所述步骤S2中,利用选区刻蚀方法形成Ga2O3/TiO2复合悬浮栅结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010126020.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种数据处理方法、装置及电子设备
- 下一篇:一种高效稳定电机的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法