[发明专利]一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法在审
申请号: | 202010126431.8 | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN111129186A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 王建禄;蒋伟;孟祥建;沈宏;林铁;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 二维 半导体 结型光 探测器 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器,其特征在于,
所述的结型光探测器自下而上依次为:衬底(1)、二氧化钒(2)、二维半导体(3)、金属源极(4)、金属漏极(5),其中:
所述的衬底(1)为氧化铝衬底,厚度为500微米,表面粗糙度为0.5纳米;
所述的二氧化钒(2)为二氧化钒薄膜,厚度为22纳米,表面粗糙度为1纳米;
所述的二维半导体(3)为过渡金属硫族化合物,厚度为20-40纳米;
所述的金属源极(4)、金属漏极(5)为铂和金电极,铂厚度为15纳米,金厚度为65纳米。
2.一种制备如权利要求1所述的二氧化钒和二维半导体的结型光探测器的制备方法,其特征在于方法步骤如下:
1)通过磁控溅射的方法在衬底(1)上制备一层钒金属薄膜,并通过热氧化法将其转变成二氧化钒(2)薄膜;
2)采用紫外光刻技术在二氧化钒(2)上制作阵列掩膜,利用氩等离子体刻蚀技术刻蚀曝光区域,形成二氧化钒方块阵列;
3)利用干法转移的方法将机械剥离的过渡金属硫族化合物二维半导体(3)转移到二氧化钒表面,形成错位堆叠的垂直异质结结构;
4)采用紫外光刻技术或者电子束曝光技术,结合热蒸发和剥离工艺,分别在二维半导体(3)和二氧化钒(2)上制备金属源极(4)和金属漏极(5),形成二氧化钒和二维半导体的异质结型器件。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的