[发明专利]一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法

权利要求书

1.一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器，其特征在于，

所述的结型光探测器自下而上依次为：衬底(1)、二氧化钒(2)、二维半导体(3)、金属源极(4)、金属漏极(5)，其中:

所述的衬底(1)为氧化铝衬底，厚度为500微米,表面粗糙度为0.5纳米；

所述的二氧化钒(2)为二氧化钒薄膜，厚度为22纳米，表面粗糙度为1纳米；

所述的二维半导体(3)为过渡金属硫族化合物，厚度为20-40纳米；

所述的金属源极(4)、金属漏极(5)为铂和金电极，铂厚度为15纳米，金厚度为65纳米。

2.一种制备如权利要求1所述的二氧化钒和二维半导体的结型光探测器的制备方法，其特征在于方法步骤如下：

1)通过磁控溅射的方法在衬底(1)上制备一层钒金属薄膜，并通过热氧化法将其转变成二氧化钒(2)薄膜；

2)采用紫外光刻技术在二氧化钒(2)上制作阵列掩膜，利用氩等离子体刻蚀技术刻蚀曝光区域，形成二氧化钒方块阵列；

3)利用干法转移的方法将机械剥离的过渡金属硫族化合物二维半导体(3)转移到二氧化钒表面，形成错位堆叠的垂直异质结结构；

4)采用紫外光刻技术或者电子束曝光技术，结合热蒸发和剥离工艺，分别在二维半导体(3)和二氧化钒(2)上制备金属源极(4)和金属漏极(5)，形成二氧化钒和二维半导体的异质结型器件。