[发明专利]一种悬空石墨烯结构的制备方法及由其得到的悬空石墨烯结构和应用

权利要求书

1.一种悬空石墨烯结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)对待处理膜片进行图案化处理，得到图案化区域和其余区域；

其中，所述待处理膜片包括依次设置的牺牲层、石墨烯片层和电子束胶层；

所述图案化处理包括将石墨烯片部分区域裸露；

(2)依次除去所述其余区域和牺牲层，然后将图案化区域转移至衬底上，得到所述悬空石墨烯结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述待处理膜片的制备方法包括如下步骤：

利用甩胶在基底上制备牺牲层，然后利用胶带在牺牲层上设置单层石墨烯片，最后利用甩胶在石墨烯片层上设置电子胶束层，得到所述待处理膜片。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层选自聚乙烯醇层；

优选地，所述电子胶束层选自聚甲基丙烯酸甲酯层。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述进行图案化处理的方式为电子束曝光。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述图案化区域与所述其余区域之间存在至少一个连接部连接；

优选地，所述连接部的宽度为1-2μm；

优选地，所述图案化区域内还设置有开孔区；

优选地，所述开孔区的直径为2-3μm。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述除去牺牲层的方法为水浸法；

优选地，所述水浸法为将待处理膜片浸入水中，除去牺牲层；

优选地，所述水的温度为50-100℃。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述其余区域的除去方法为：在显微镜下，利用微针穿过开孔区，挑出图案化区域，将所述其余区域除去。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底选自硅片。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的制备方法制备得到的悬空石墨烯结构。

10.根据权利要求9所述的悬空石墨烯结构在制备微机电系统中的应用。