[发明专利]一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置

权利要求书

1.一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；

步骤二、将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10^-3Pa；通入高纯度99.999％惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10^-2Pa到8×10^-2Pa；

步骤三、设置样品台旋转速度、开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照，所述样品台的转速为6～80转/分钟；

步骤四、将辐照后的铌酸锂晶体置于高温炉中进行热处理，其中热处理温度80～350℃，时间0.2～3小时；

所述步骤三中，离子束为Xe，离子束能量E为450-750eV，离子束流密度J为130-450μA/cm2，离子束入射角度θ为10-30°或55-75°，离子束作用t为30-300min，所述离子束入射角θ为离子束和样品表面法线的夹角；

上述离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法采用的装置，包括基片运动系统(1)、离子源系统(2)、真空系统(3)和控制系统(4)，

所述的基片运动系统(1)包括基座(101)、轴套(102)、基台(103)和X、Y双向运动平台(105)，所述基台(103)的截面为T型，基台(103)的小端外侧套设有轴套(102)，轴套(102)的端部固定有基座(101)；基台(103)的大端的端面与X、Y双向运动平台(105)固定连接，所述基台(103)的大端内设置有冷却通道(104)；

所述的冷却通道(104)连接有中心管路，中心管路的外端上连接有旋转接头(106)，旋转接头(106)上连接波纹管(107)，循环水经波纹管(107)后从基台(103)的中心管路进入冷却通道(104)，在冷却通道(104)中循环后进入旋转接头(106)上的出水口，实现基片台恒温在10-30℃。

2.一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；

步骤二、将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10^-3Pa；通入高纯度99.999％惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10^-2Pa到8×10^-2Pa；

步骤三、设置样品台旋转速度、开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照，所述样品台的转速为6～80转/分钟；

步骤四、将辐照后的铌酸锂晶体置于高温炉中进行热处理，其中热处理温度80～350℃，时间0.2～3小时；

所述步骤三中，离子束为Ar，离子束能量E为900-1350eV，离子束流密度J为240-620μA/cm2，离子束入射角度θ为10-30°和或55-75°，离子束作用t为30-300min，所述离子束入射角θ为离子束和样品表面法线的夹角；

上述离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法采用的装置，包括基片运动系统(1)、离子源系统(2)、真空系统(3)和控制系统(4)，

所述的基片运动系统(1)包括基座(101)、轴套(102)、基台(103)和X、Y双向运动平台(105)，所述基台(103)的截面为T型，基台(103)的小端外侧套设有轴套(102)，轴套(102)的端部固定有基座(101)；基台(103)的大端的端面与X、Y双向运动平台(105)固定连接，所述基台(103)的大端内设置有冷却通道(104)；

所述的冷却通道(104)连接有中心管路，中心管路的外端上连接有旋转接头(106)，旋转接头(106)上连接波纹管(107)，循环水经波纹管(107)后从基台(103)的中心管路进入冷却通道(104)，在冷却通道(104)中循环后进入旋转接头(106)上的出水口，实现基片台恒温在10-30℃。