[发明专利]一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料及其制备方法

说明书

一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，以重量计，包括以下原料：铝20～40份、镁6～10份、碳化硅微粉15～19份、碳纤维增强体10～20份、钛10～14份、铌2～6份、铂3～7份、铁10～20份、铜10～14份；本发明的有益效果是在原料中加入了钛、铌、铂和碳纤维增强体，从而使铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的结构强度更高，防止铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料在使用时发生损坏。

技术领域

本发明涉及半导体复合材料技术领域，具体涉及一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料及其制备方法。

背景技术

中国专利（公开号为CN105400977B）公开了一种铝基碳化硅的制备方法，包括步骤：步骤一、制备SiC/Al浆料，使用SiC微粉配制得到SiC浆料，然后按比例加入铝粉和镁粉并混合均匀；步骤二、流延成型，对SiC/Al浆料除泡后加入SiC/Al浆料总重量1-3%的引发剂和2-4%的单体，混合均匀后，进行流延得到SiC/Al流延膜；步骤三、流延膜素烧，对步骤二得到的流延膜进行素烧，得到SiC/Al素坯；步骤四、真空烧结，将SiC/Al素坯在真空状态下烧结，得到铝基碳化硅。

该发明由于制备较为简单，导致铝基碳化硅的结构强度较差，在使用时很容易发生损坏，影响用户对铝基碳化硅的使用体验。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，以重量计，包括以下原料：铝20～40份、镁6～10份、碳化硅微粉15～19份、碳纤维增强体10～20份、钛10～14份、铌2～6份、铂3～7份、铁10～20份、铜10～14份。

作为本发明的进一步技术方案是：以重量计，包括以下原料：铝25～35份、镁7～9份、碳化硅微粉16～18份、碳纤维增强体13～17份、钛11～13份、铌3～5份、铂4～6份、铁13～17份、铜11～13份。

作为本发明的再进一步技术方案是：以重量计，包括以下原料：铝30份、镁8份、碳化硅微粉17份、碳纤维增强体15份、钛12份、铌4份、铂5份、铁15份、铜12份。

一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：

（1）在碳化硅中加入偶联剂获得表面改性后的碳化硅，从而得到第一中间体；

（2）将除碳化硅微粉外的原料放入球磨机中进行粉碎研磨，研磨时间为20～30分钟，得到第二中间体；

（3）将第一中间体与第二中间体混合，然后通过搅拌后、蒸馏得到铝纳米壳包覆碳化硅的核壳结构复合粒子粉末的第三中间体；

（4）将第三中间体经过压胚和热等静压后得到铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料。

作为本发明的再进一步技术方案：所述步骤（2）中球磨机的转速为3000～5000r/min。

本发明的有益效果是在原料中加入了钛、铌、铂和碳纤维增强体，从而使铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的结构强度更高，防止铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料在使用时发生损坏，提升用户对铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的使用体验。

具体实施方式

下面，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1：