[发明专利]高效纳米真空蒸发源

说明书

本发明公开了一种高效纳米真空蒸发源，包括顶端敞口的热屏蔽组件，所述热屏蔽组件的底部与真空法兰连接，其内部设有用于装载源材料的坩埚组件。所述坩埚组件包括U型坩埚，所述U型坩埚的顶部设有与之一体成型的盖板。所述盖板的中部设有蒸镀开口，所述盖板的顶部设有能相对其转动的顶盖。所述顶盖的上端与固接在所述热屏蔽组件上的驱动件连接，其中部设有与所述蒸镀开口匹配的通孔。所述通孔内设有用于清洁所述蒸镀开口的清洁件。本发明的纳米真空蒸发源在不影响坩埚容量的前提下缩小了散射面，降低了源材料的浪费率，而且有效避免了开口的堵塞现象，保证了源材料的蒸镀效率。

技术领域

本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种高效纳米真空蒸发源。

背景技术

纳米真空蒸发源是纳米真空镀膜设备的核心部件，可以实现对源材料的纳米级高精度控制。目前市场上常用到的纳米真空蒸发源的坩埚(即用来装载源材料的容器)为U形状的，但U形状的开口是完全敞开的，口径较大，所以散射面较大，在蒸镀时有相当一部分的纳米材料无法被基板收集，而是沉积在基板以外的其他位置，造成材料的较高浪费率。如果将坩埚做成锥形结构，虽能通过缩小口径的方式来缩小散射面，但坩埚的容量会因此减少，容易造成单次蒸镀时源材料装载量不够用的尴尬局面，而且口径缩小容易造成开口堵塞，导致源材料蒸镀速率下降，影响蒸镀效率。

发明内容

为克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种高效纳米真空蒸发源，在不影响坩埚容量的前提下缩小了散射面，降低了源材料的浪费率，而且有效避免了开口的堵塞现象，保证了源材料的蒸镀效率。

为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种高效纳米真空蒸发源，包括顶端敞口的热屏蔽组件，所述热屏蔽组件的底部与真空法兰连接，其内部设有用于装载源材料的坩埚组件。所述坩埚组件包括U型坩埚，所述U型坩埚的顶部设有与之一体成型的盖板。所述盖板的中部设有蒸镀开口，所述盖板的顶部设有能转动的顶盖。所述顶盖的上端与固接在所述热屏蔽组件上的驱动件连接，其中部设有与所述蒸镀开口匹配的通孔。所述通孔内设有用于清洁所述蒸镀开口的清洁件。

本发明的有益效果在于：通过在U型坩埚顶部增设带有蒸镀开口的盖板，缩小了散射面积，减少了源材料的浪费；通过驱动件的设置实现了顶盖的转动，进而实现了清洁件对蒸镀开口的转动清洁，有效避免了蒸镀开口的堵塞现象，保证源材料的蒸镀效率。

进一步来说，所述清洁件包括多个呈圆周阵列分布在所述通孔内的刮板。所述刮板固接在所述通孔内，其底部设有能延伸至所述蒸镀开口内的清洁部。所述清洁部的一侧抵靠在所述蒸镀开口的内壁上，其底端与所述蒸镀开口的底端齐平。当顶盖转动时，刮板随之转动，并带动清洁部沿着蒸镀开口的内壁转动，进而将堵塞在蒸镀开口内壁上的源材料刮除。

进一步来说，所述盖板上环绕所述蒸镀开口还设置有多个呈圆周阵列分布的一号调节开口，所述顶盖上设有与所述一号调节开口一一对应且错位设置的二号调节开口。当所述顶盖转动时，所述二号调节开口能转动至与对应的所述一号调节开口连通。初始状态时，二号调节开口与一号调节开口错位设置，此时顶盖能盖合住所有的一号调节开口；当蒸镀开口蒸镀速率下降时，转动顶盖，清洁件随之转动对蒸镀开口进行清洁；当蒸镀开口清洁后，蒸镀速率仍达不到要求时，继续转动顶盖，使二号调节开口能转动至与一号调节开口连通，此时，U型坩埚内的蒸镀气体能沿着一号调节开口、二号调节开口的连通处逸出，以此提高源材料的蒸镀量；通过调节一号调节开口与二号调节开口的连通面积以达到所需的蒸镀速率。

进一步来说，所述刮板的数量至少为所述二号调节开口数量的两倍，以保证在二号调节开口转动至与一号调节开口连通的过程中，多个刮板的清洁部能完成蒸镀开口内壁至少一圈的清洁。

进一步来说，所述顶盖的外周边缘处还设有向下延伸的限位块，所述盖板上设有用于容置所述限位块的环形嵌槽，所述限位块能沿着所述环形嵌槽转动。通过限位块与环形嵌槽的设置能对顶盖的转动进行限位。