[发明专利]反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法

权利要求书

1.一种反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，具备：

第1供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给由还原性气体生成的等离子体生成物；

及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液。

2.根据权利要求1所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述第1供给部向在表面上附着有有机物的所述反射型掩膜供给所述等离子体生成物。

3.根据权利要求1所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述反射型掩膜具有图形区域、及以包围所述图形区域的方式设置的遮光区域，且在所述图形区域中露出有所述覆盖层。

4.根据权利要求1所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述还原性气体包含氨或氢。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述覆盖层还包含氧化钌，

通过所述第2供给部供给所述还原性溶液而使所述氧化钌还原，从而使所述覆盖层中的所述氧化钌的比例减少。

6.一种反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，具备：向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给由还原性气体生成的等离子体生成物的工序；及向所述覆盖层供给还原性溶液的工序。

7.根据权利要求6所述的反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，在所述供给由还原性气体生成的等离子体生成物的工序中，向在表面上附着有有机物的所述反射型掩膜供给所述等离子体生成物。

8.根据权利要求6所述的反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，所述反射型掩膜具有图形区域、及以包围所述图形区域的方式设置的遮光区域，且在所述图形区域中露出有所述覆盖层。

9.根据权利要求6至8中任意一项所述的反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，所述覆盖层还包含氧化钌，

且在所述供给还原性溶液的工序中，通过供给所述还原性溶液而使所述氧化钌还原，从而使所述覆盖层中的所述氧化钌的比例减少。