[发明专利]一种超薄堆叠封装方式

权利要求书

1.一种超薄堆叠封装方式，其特征在于，包括以下步骤：

A，在转接板表面挖凹槽，嵌入不同厚度的芯片，芯片和凹槽的缝隙灌入胶体；

B，减薄转接板表面，减薄转接板背面，刻蚀硅材质使芯片PAD露出；

C，沉积钝化层，刻蚀钝化层使芯片PAD露出，在芯片表面做RDL和焊盘；

D，把多层转接板通过中间层做晶圆级键合，在晶圆表面做TSV孔，TSV孔内填充金属；

E，转接板正面做CMP去除表面金属，做RDL互联线，做bump得到最终封装结构。

2.如权利要求1所述的超薄堆叠封装方式，其特征在于，所述步骤A具体包括：

在硅转接板刻蚀出空腔，特殊形貌的空腔采用湿法腐蚀的方式；空腔深度范围在100nm到700um之间，形状包括方形，圆形，椭圆形和三角形，侧壁是垂直的，或者是有斜坡的；

把不同厚度的芯片用胶粘的方式嵌入到凹槽中，芯片PAD互联面朝下，在凹槽中填充胶体使芯片和凹槽缝隙被填满。

3.如权利要求1所述的超薄堆叠封装方式，其特征在于，所述步骤C具体包括：

在晶圆开凹槽一面沉积钝化层，然后刻蚀钝化层使PAD露出，通过光刻和电镀工艺制作RDL使凹槽中PAD电性被引出。

4.如权利要求1所述的超薄堆叠封装方式，其特征在于，所述步骤D具体包括：

通过粘贴工艺把多层减薄后的转接板堆叠，堆叠方式包括晶圆级胶粘键合，也包括晶圆级金属熔融键合；

通过光刻和干法刻蚀的工艺在晶圆表面做TSV孔，沉积钝化层，打开焊盘底部金属，做种子层沉积，电镀金属得到互联RDL。

5.如权利要求4所述的超薄堆叠封装方式，其特征在于，堆叠层数大于3层。