[发明专利]一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法有效
申请号: | 202010129017.2 | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN111292951B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 刘友好;查善顺;冯泉妤;陈静武;衣晓飞 | 申请(专利权)人: | 安徽大地熊新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 张梦媚 |
地址: | 231500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 烧结 钕铁硼 磁体 矫顽力 方法 | ||
1.一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,包括以下步骤:
镀膜:采用多靶连续式磁控溅射在烧结钕铁硼磁体的表面由内至外依次镀覆形成重稀土金属膜层和金属铝膜层后,于100-200℃出料,制得半成品;
热处理:将所述半成品置于预抽真空度为1-100Pa的环境中进行热处理后,冷却,制得高矫顽力烧结钕铁硼磁体,其中,在所述热处理过程中持续抽真空。
2.如权利要求1所述的提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,所述烧结钕铁硼磁体为通过粉末冶金工艺制备的以RE2Fe14B相为主要磁性相的磁体,其中,RE为稀土元素中的至少一种。
3.如权利要求1所述的提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,所述镀膜步骤采用多靶连续式磁控溅射镀膜设备完成,其中,所述多靶连续式磁控溅射镀膜设备包括准备室、清洗室、镀膜室和冷却室。
4.如权利要求3所述的提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,所述镀膜室中依次设有N个磁控溅射源,其中,N≥2,第1到第N-1个磁控溅射源配置为重稀土金属靶材,第N个磁控溅射源配置为金属铝靶材。
5.如权利要求1所述的提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,所述重稀土金属膜层的总厚度为1-15μm,其中的重稀土金属选自镝、铽中的至少一种,所述金属铝膜层的厚度为0.5-2μm。
6.如权利要求1所述的提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,所述热处理的保温温度为800℃-900℃,保温时间为5-40h。
7.如权利要求1所述的提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,所述热处理步骤后还包括二次热处理步骤。
8.如权利要求7所述的提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法,其特征在于,所述二次热处理的温度为460-600℃,时间为3-6h。
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