[发明专利]栅极驱动器电路和驱动晶体管的方法

权利要求书

1.一种栅极驱动器电路，包括：

栅极驱动器，其被配置成：在多个导通开关事件期间生成导通电流以驱动晶体管，其中，所述晶体管两端的电压在所述多个导通开关事件期间以斜率从第一值改变为第二值，其中，所述斜率是主动类型或被动类型，并且其中，所述主动类型的斜率取决于所述导通电流的幅度；以及

感测电路，其被配置成：确定第一导通开关事件期间的所述斜率是所述主动类型还是所述被动类型，并且如果所述斜率是所述主动类型，则在继所述第一导通开关事件之后的第二导通开关事件期间调节所述导通电流的幅度，并且如果所述斜率是所述被动类型，则在所述第二导通开关事件期间将所述导通电流的幅度保持不变。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中，所述感测电路被配置成：测量在所述第一导通开关事件期间的所述电压的斜率，将所测量的斜率与目标斜率范围进行比较以生成比较结果，并且基于所述比较结果在所述第二导通开关事件期间调节所述导通电流，使得在所述第二导通开关事件期间的所述电压的斜率在所述目标斜率范围内。

3.根据权利要求2所述的栅极驱动器电路，其中，基于所述比较结果，所述感测电路被配置成：

如果所测量的斜率在所述目标斜率范围之上，则在所述第二导通开关事件内减小所述导通电流的幅度；

如果所测量的斜率在所述目标斜率范围内，则在所述第二导通开关事件内将所述导通电流的幅度保持不变；以及

如果所测量的斜率在所述目标斜率范围之下，则在所述第二导通开关事件内增大所述导通电流的幅度。

4.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，还包括：

高侧区，其在第一电压域中操作；

低侧区，其在低于所述第一电压域的第二电压域中操作；以及

电容器，其耦接至所述高侧区且耦接至所述低侧区，

其中，所述感测电路耦接至所述电容器，以用于检测并测量所述斜率。

5.根据权利要求4所述的栅极驱动器电路，其中，所述栅极驱动器和所述感测电路被设置在所述高侧区中，并且所述晶体管是高侧功率晶体管。

6.根据权利要求5所述的栅极驱动器电路，其中，所述电容器耦接至所述感测电路的输入节点且耦接至所述低侧区的接地电压。

7.根据权利要求5所述的栅极驱动器电路，还包括：

另一栅极驱动器，其被设置在所述低侧区中且被配置成驱动与所述高侧功率晶体管互补的低侧功率晶体管；

另一感测电路，其被设置在所述低侧区中且被配置成感测所述低侧功率晶体管两端的电压，所述低侧功率晶体管两端的电压具有在所述低侧功率晶体管的导通期间改变的另一斜率，

其中，所述电容器耦接至所述感测电路的输入节点且耦接至所述另一感测电路的输入节点。

8.根据权利要求4所述的栅极驱动器电路，其中，所述栅极驱动器和所述感测电路被设置在所述低侧区中，并且所述晶体管是低侧功率晶体管。

9.根据权利要求8所述的栅极驱动器电路，其中，所述电容器耦接至所述感测电路的输入节点和所述高侧区的浮动接地电压。

10.根据权利要求8所述的栅极驱动器电路，还包括：

另一栅极驱动器，其被设置在所述高侧区中且被配置成驱动与所述低侧功率晶体管互补的高侧功率晶体管；

另一感测电路，其被设置在所述高侧区中且被配置成感测所述高侧功率晶体管两端的电压，所述高侧功率晶体管两端的电压具有在所述高侧功率晶体管的导通期间改变的另一斜率，

其中，所述电容器耦接至所述感测电路的输入节点且耦接至所述另一感测电路的输入节点。

11.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中：

如果所述斜率至少部分地发生在包括所述第一导通开关事件的开关周期的死区时间内，则所述斜率是所述被动类型，以及

如果所述斜率完全发生在所述开关周期的死区时间之后，则所述斜率是所述主动类型。