[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；

在所述鳍部的顶部和侧壁形成伪栅氧化层，所述伪栅氧化层中形成有针孔；

采用单源前驱体激活自由基化学沉积工艺，在所述伪栅氧化层上保形覆盖刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层为无针孔层；

在所述刻蚀阻挡层上形成横跨所述鳍部的伪栅层，所述伪栅层覆盖所述刻蚀阻挡层的部分顶部和部分侧壁；

在所述伪栅层侧部的基底上形成层间介质层；

以所述刻蚀阻挡层作为停止层，采用干法刻蚀工艺去除所述伪栅层，在所述层间介质层中形成初始开口；

去除所述初始开口底部的刻蚀阻挡层和伪栅氧化层，形成栅极开口；

在所述栅极开口中形成栅极结构，所述栅极结构包括高k栅介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括SiCO、SiC、SiCN、BC或BCN。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层的步骤中，所述刻蚀阻挡层的厚度为至

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺，以所述刻蚀阻挡层作为停止层，去除所述伪栅层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅层的步骤中，所述伪栅层和所述刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于或等于100：1。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述初始开口底部的刻蚀阻挡层的步骤包括：对所述刻蚀阻挡层进行灰化处理；在所述灰化处理之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述初始开口底部的刻蚀阻挡层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用氢气对所述刻蚀阻挡层进行灰化处理。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括氢氟酸溶液。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述初始开口底部的伪栅氧化层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括氢氟酸溶液。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅氧化层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。