[发明专利]工艺角检测方法及系统、设备、存储介质

权利要求书

1.一种工艺角检测方法，用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，所述SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，其特征在于，包括：

获取多个所述SRAM单元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；

利用多组所述第一数据组建立三维正态分布模型，所述三维正态分布模型的形状为椭球体；

从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；

对所述多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；

提取所述多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为所述写噪声容限的最差工艺角。

2.如权利要求1所述的工艺角检测方法，其特征在于，所述SRAM单元器件为6T SRAM单元器件。

3.如权利要求1所述的工艺角检测方法，其特征在于，获取所述多个SRAM单元器件的电性数据的步骤中，所述电性数据包括阈值电压、饱或电流或线性区电流，且所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据类型相同。

4.如权利要求1所述的工艺角检测方法，其特征在于，利用多个所述第一数据组建立三维正态分布模型的步骤包括：

对所述多个SRAM单元器件，分别计算所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据的平均值和标准差；

对每一个所述SRAM单元器件，利用所述电性数据的平均值和标准差，分别计算所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据的偏移程度值，所述偏移程度值为所述电性数据相对于平均值的偏移量与所述标准差的比值；

利用所述偏移程度值，建立所述三维正态分布模型。

5.如权利要求4所述的工艺角检测方法，其特征在于，分别计算所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据的偏移程度值的步骤中，同一个SRAM单元器件中的所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的偏移程度值构成一组第二数据组；

利用所述偏移程度值，建立所述三维正态分布模型的步骤包括：

确定所述偏移程度值的预设分布区间；

根据所述预设分布区间，从所述多组第二数据组中筛选出多组建模用数据组；

以同一个SRAM单元器件的所述建模用数据组作为向量，建立相关系数矩阵；

利用所述相关系数矩阵，建立三维正态分布模型。

6.如权利要求4所述的工艺角检测方法，其特征在于，对每一个所述SRAM单元器件中任一类型的晶体管，利用公式(Ⅰ)计算所述偏移程度值，

其中，VT_SIGMA为每一个所述SRAM单元器件中任一类型的晶体管的偏移程度值，Vtsat为每一个所述SRAM单元器件中任一类型的晶体管的电性数据，为所述多个SRAM单元器件中同一类型的晶体管的电性数据的平均值，σ为所述多个SRAM单元器件中同一类型的晶体管的电性数据的标准差。

7.如权利要求5所述的工艺角检测方法，其特征在于，利用公式(Ⅱ)建立所述三维正态分布模型，

其中，f(Y)为所述多个SRAM单元器件中，同一类型的晶体管的任一个偏移程度值的概率，Y为任一个所述SRAM单元器件中，所述上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的偏移程度值的向量坐标，S为任一个所述SRAM单元器件的电性数据的相关系数矩阵，Y'为所述向量坐标的转置。

8.如权利要求5所述的工艺角检测方法，其特征在于，所述预设分布区间为(-n*σ，+n*σ)，n的值为3至6，σ为所述多个SRAM单元器件中同一类型的晶体管的电性参数数据的标准差。

9.如权利要求5所述的工艺角检测方法，其特征在于，利用预设分布区间的下限值和上限值，确定所述椭球体的表面位置。