[发明专利]用于提供具有低开销的存储器原子性的技术在审

专利信息
申请号: 202010129692.5 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN111752477A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: M.舍夫古尔;M.J.德谢内;V.梅卡特;J.M.阿伦;Z.张 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;姜冰
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 提供 具有 开销 存储器 原子 技术
【权利要求书】:

1.一种支持存储器原子性的集成电路,所述集成电路包括:

处理器核,所述处理器核包括数据高速缓存单元(DCU)、存储缓冲器(SB)和引退单元;以及

所述处理器核中的存储器原子性设施,其中所述存储器原子性设施被配置成当被占用时:

响应于所述处理器核执行作为代码的原子区域的部分的存储指令,向所述SB添加SB条目;

响应于所述引退单元引退所述存储指令,使所述SB中的所述SB条目变成资深的;以及

响应于所述引退单元提交与所述原子区域相关联的事务,使所述SB条目变成启用游走。

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中:

所述存储器原子性设施包括低开销存储器原子性(LOMA)设施;以及

所述集成电路还包括鲁棒存储器原子性(RMA)设施,所述RMA设施被配置成当被占用时响应于所述引退单元引退与各个SB条目相对应的各个存储指令,使每个所述各个SB条目变成启用游走。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述处理器核被配置成:

当所述LOMA设施被占用时,禁用所述RMA设施;以及

当所述RMA设施被占用时,禁用所述LOMA设施。

4.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:

所述核中的加载缓冲器(LB);以及

其中所述存储器原子性设施被配置成当被占用时:

响应于所述处理器核执行作为所述原子区域的部分的加载指令,向所述LB添加LB条目;以及

响应于所述引退单元提交与原子区域相关联的所述事务,促使从所述LB丢弃所述LB条目。

5.根据权利要求4所述的集成电路,其中:

所述处理器核包括资深加载流水线(SLP);以及

响应于所述引退单元提交与原子区域相关联的所述事务,所述存储器原子性设施被配置成当被占用时促使从所述LB中丢弃所述LB条目而不游走所述SLP。

6.根据权利要求1所述的集成电路,其中:

所述存储器原子性设施当被占用时能够响应于所述处理器核执行作为代码的所述原子区域的部分的多个存储指令,向所述SB添加多个SB条目;以及

所述引退单元能够与提交和所述原子区域相关联的所述事务配合,使与所述原子区域相关联的所述SB条目中的所有立即变成启用游走。

7.根据权利要求6所述的集成电路,其中:

所述SB包括提交指针;以及

所述引退单元能够通过更新所述提交指针来立即使多个SB条目启用游走。

8.根据权利要求7所述的集成电路,其中:

所述处理器核包括资深存储流水线(SSP)和资深指针;以及

所述存储器原子性设施被配置成当被占用时使所述SSP在所述提交指针与所述资深指针匹配时停止游走来自所述SB的条目。

9.根据权利要求8所述的集成电路,其中:

所述处理器核包括存储器原子性管理器;

所述存储器原子性设施包括与存储器原子性有关的控制逻辑;

该控制逻辑的第一部分驻留在所述存储器原子性管理器中;

该控制逻辑的第二部分驻留在所述引退单元中;以及

该控制逻辑的第三部分驻留在所述SSP中。

10.根据权利要求1所述的集成电路,其中:

所述处理器核包括存储器原子性管理器;

所述存储器原子性设施包括与存储器原子性有关的控制逻辑;

该控制逻辑的第一部分驻留在所述存储器原子性管理器中;以及

该控制逻辑的第二部分驻留在所述引退单元中。

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