[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 202010130700.8 | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN111341789B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 孟会杰;宋二龙;周宏军;刘聪;魏锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/66;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,其特征在于:
所述电学检测区域设置有至少一个测试电极,所述电学检测区域内设置有围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离小于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的绝缘膜层的数量小于所述显示基板的绝缘膜层的总数量。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘结构包括所述钝化层和所述第一平坦层;或,所述绝缘结构包括所述钝化层和第二平坦层。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,所述绝缘结构包括的至少一层绝缘膜层的膜厚小于所述显示基板其他区域相同绝缘膜层的膜厚。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述测试电极由层叠设置的第一源漏金属层的图形和第二源漏金属层的图形组成,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形之间设置有钝化层,所述第一源漏金属层的图形和所述第二源漏金属层的图形通过贯穿所述钝化层的过孔连接。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6中任一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的电学检测区域,其特征在于,所述制作方法包括:
在所述电学检测区域形成至少一个测试电极和围绕所述测试电极的绝缘结构,所述绝缘结构远离所述显示基板的衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离不大于所述测试电极远离所述衬底基板的一侧表面与所述衬底基板之间的距离。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第一平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第一平坦层。
10.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层、第一源漏金属层、钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层,所述显示基板的绝缘膜层包括所述栅绝缘层、所述层间绝缘层、所述钝化层、所述第一平坦层和所述第二平坦层,形成所述绝缘结构包括:
在形成所述显示基板的第二平坦层的图形之后,去除所述电学检测区域的第二平坦层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的