[发明专利]一种温压复合传感器的制作方法

权利要求书

1.一种温压复合传感器的制作方法，其特征在于，包括：

形成压力敏感结构，具体包括：

在第一衬底正面形成压阻结构；

在第一衬底背面形成背腔结构；

在所述压阻 结构上形成金属电极；

形成温度敏感结构，具体包括：

在第二衬底上围绕中间区域形成金属电阻；在所述第二衬底上和所述金属电阻上形成钝化层，所述钝化层具体为氧化铝层；

在所述第二衬底上对应所述金属电阻包围的区域开设通孔；

将所述第二衬底带有所述金属电阻的一面与所述第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底正面形成压阻结构之前，还包括：

在所述第一衬底正面形成第一SiO₂层，在所述第一衬底背面形成第二SiO₂层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底正面形成压阻结构，具体包括：

对所述第一SiO₂层的刻蚀区域进行刻蚀，并刻蚀至所述第一衬底正面；

向所述刻蚀区域正对的所述第一衬底正面注入离子，形成所述压阻结构。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一衬底背面形成背腔结构，具体包括：

对所述第二SiO₂层中部以及所述第二SiO₂层中部正对的所述第一衬底进行刻蚀，形成所述背腔结构。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述压阻结构上形成金属电极，具体包括：

去掉所述第一SiO₂层；

在所述第一衬底正面形成连接所述压阻结构的金属电极。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成压力敏感结构，还包括：

提供封装壳，所述封装壳包括开口面；

将所述封装壳的开口面与所述第一衬底正面连接，形成真空封装。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第二衬底带有所述金属电阻的一面与所述第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器之后，还包括：

对所述温压复合传感器喷涂氟碳树脂涂料，并进行固化。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压阻结构的位置正对所述第一衬底的相邻厚度交界处。