[发明专利]化合物、显示面板和显示装置

说明书

本发明属于OLED技术领域并提供了一种用作空穴传输材料和电子阻挡材料的化合物，所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构，在[化学式1]中，L₁和L₂分别独立地选自单键、取代或未取代的C6‑C40亚芳基或取代或未取代的C4‑C40亚杂芳基；Ar₁和Ar₂分别独立地选自[化学式2]和[化学式3]表示的基团，且Ar₁和Ar₂彼此不相同。本发明的化合物包含咔唑和二芳胺结构，具有良好的空穴传输能力，并且二苯并噻吩或二苯并呋喃基团的加入可以有效地调节分子的HOMO能级，以便匹配其他发光功能层的材料。本发明还提供一种显示面板和显示装置。

技术领域

本发明属于OLED技术领域，具体涉及一种主要用作空穴传输材料和电子阻挡材料的化合物、包括该化合物的显示面板和显示装置。

背景技术

手机消费品等中小尺寸OLED屏幕很多采用R、G、B子像素显示方式。为了提高生产良率，往往会将一些功能层设计为公共层，这样就可以减少FMM(精细金属掩膜)的使用，而空穴传输层经常采用公共层，一般公共空穴传输层可以用市售材料。

现有的空穴传输材料技术存在几个问题。一是材料溶解性不好，会导致量产时的蒸镀掩膜清洗效果不好；二是材料的迁移率太慢，会导致器件的整体电压太高；三是材料的迁移率过快，尤其是材料横向迁移率过快，导致相邻像素之间发生串扰；四是材料的LUMO能级太深，不能有效阻挡可能越过发光层的电子迁移；五是材料的三线态能级较低，不能同时实现RGB三色中的空穴的有效传输，导致掩膜使用数量的增加以及工艺难度的提升。

因此，有必要设计和开发性能更好的空穴传输材料。

发明内容

本发明提供一种化合物，所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构：

其中，在[化学式1]中，L₁和L₂分别独立地选自单键、取代或未取代的C6-C40亚芳基或取代或未取代的C4-C40亚杂芳基；

Ar₁和Ar₂分别独立地选自[化学式2]和[化学式3]表示的基团，且Ar₁和Ar₂彼此不相同；

在[化学式2]中，R₁和R₂分别独立地选自取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C12-C40稠芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基；

在[化学式3]中，Cy表示稠合的C6-C20芳香环，X选自O原子或S原子；

杂芳基或亚杂芳基中的杂原子选自P、S、N、O、B、Si中的一种或多种；

*表示连接位置。

本发明提供的化合物含有稠环并氧杂芴/硫杂芴、咔唑基团和二芳胺基团的空穴传输材料。这种材料的化合物分子具有较浅的LUMO值和合适的HOMO值，可以有效地提升空穴的传输能力，有效阻挡电子的跃迁。本发明的化合物还具有较高的三线态能级E_T，可以有效阻挡激子的传输，将激子限制在发光层中，提升空穴的传输。此外，本发明的化合物具有高的空穴迁移率，优异的热稳定性和薄膜稳定性，有利于提升发光效率和器件寿命。

附图说明

图1示出本发明的一个示例性化合物HT001的化学结构；

图2是本发明实施例提供的OLED器件的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。

具体实施方式