[发明专利]晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法

说明书

本发明涉及一种晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法，晶圆支撑件包括柱体与支撑块。风管的口部排出的反应气体能均匀地流向到晶圆的整个表面上方，晶圆对应于支撑块的表面部位的气体量与晶圆的其它部位的气体量基本相同，进而晶圆对应于支撑块的表面部位沉积形成薄膜的厚度与其它部位基本相同，也就是能提高晶圆的边缘部位沉积厚度的均匀性，提高晶圆产品质量。此外，柱体的宽度相对减小，通过抽吸机构将炉体内对应于晶圆处的反应气体抽离的过程中，柱体的阻挡作用同样减弱，反应气体及时地被抽离出反应炉体，从而尽可能地避免反应气体停留在晶圆支撑件的区域发生反应产生副产物颗粒，且该副产物颗粒也容易被抽吸机构抽离出炉体。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法。

背景技术

为了开发高附加值的高性能下一代半导体产品，技术正在朝着集成化设计规则的方向发展。传统的晶圆加工装置包括炉体、设置于炉体内的晶圆支撑件与用于向炉体内通入反应气体的风管。将待进行反应处理的晶圆放置于晶圆支撑件上，风管将反应气体通入到炉体内与晶圆发生反应，反应后的气体被抽吸机构抽离到炉体外，如此循环。经过几小时或十多小时的反应时间，反应气体发生反应后在晶圆的表面上沉积形成一层薄膜。然而，晶圆对应于支撑件的表面部位的薄膜的厚度低于晶圆的其它部位的薄膜的厚度，晶圆的表面上的薄膜的厚度均匀性较低，导致晶圆产品质量低下。

发明内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法，它能够提高晶圆的边缘部位沉积厚度的均匀性，提高晶圆产品质量。

其技术方案如下：一种晶圆支撑件，包括：柱体，所述柱体的侧壁包括面向晶圆的第一壁面、背向所述晶圆的第二壁面以及连接第一壁面与第二壁面的两个第三壁面，所述第一壁面与所述第二壁面相对设置，两个所述第三壁面相对设置，两个所述第三壁面呈夹角设置，且两个所述第三壁面之间的距离在靠近于所述第一壁面的方向上逐渐减小；与支撑块，所述支撑块为若干个，若干个所述支撑块从上至下依次间隔地设置于所述第一壁面上，所述支撑块用于支撑所述晶圆。

上述的晶圆支撑件，由于柱体的侧壁包括第一壁面、第二壁面及两个第三壁面，两个第三壁面呈夹角设置，且两个第三壁面之间的距离在靠近于第一壁面的方向上逐渐减小，也就是柱体的横截面为或近似为一个扇形面，柱体的侧壁能尽可能地避免阻挡风管的口部排出的反应气体接触晶圆，这样风管的口部排出的反应气体能均匀地流向到晶圆的整个表面上方，晶圆对应于支撑块的表面部位的气体量与晶圆的其它部位的气体量基本相同，进而晶圆对应于支撑块的表面部位沉积形成薄膜的厚度与晶圆的其它部位的薄膜的厚度基本相同，也就是能提高晶圆的边缘部位沉积厚度的均匀性，提高晶圆产品质量。此外，柱体的宽度相对减小，通过抽吸机构将炉体内对应于晶圆处的反应后的气体抽离的过程中，柱体的阻挡作用同样减弱，反应气体及时地被抽离出反应炉体，从而尽可能地避免反应气体停留在晶圆支撑件的区域发生反应产生副产物颗粒，且该副产物颗粒也容易被抽吸机构抽离出炉体。

在其中一个实施例中，两个所述第三壁面靠近于所述第二壁面的一侧之间的距离为W，所述W不大于1cm。

在其中一个实施例中，所述第一壁面为平面，所述第三壁面为平面，所述第三壁面相对于所述第一壁面倾斜设置，所述第三壁面与所述第一壁面之间的夹角为a,所述a为20°～50°。

在其中一个实施例中，所述a为30°～40°。

在其中一个实施例中，所述第一壁面为弧形面，所述第二壁面为弧形面，所述第三壁面为平面。

在其中一个实施例中，所述柱体上还设有若干个通风孔，所述通风孔与所述支撑块对应设置，所述通风孔由所述第一壁面延伸到所述第二壁面。