[发明专利]一种超厚转接板的制作方法

权利要求书

1.一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

101)上表面处理步骤：准备转接板，通过光刻和刻蚀工艺在转接板上表面，制作凹槽；在转接板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；电镀金属，使金属覆盖凹槽表面形成金属层，并在200到500度温度下密化金属层，使金属层更致密；通过CMP工艺使转接板上表面平整；

在凹槽中用旋涂工艺或者压合工艺进行填充，填充材料采用光刻胶、环氧树脂、热固胶、玻璃粉或无机材料，再通过刻蚀或者研磨工艺去除溢出凹槽表面的填充材料，只留下凹槽中的填充材料；在转接板上表面用PVD工艺沉积种子层，通过光刻和电镀工艺制作出RDL和互联焊盘；

102)下表面处理步骤：减薄转接板下表面，减薄厚度在10um到1000um之间，通过光刻和刻蚀的工艺在转接板下表面做空腔，空腔底部与凹槽底部接触，且露出凹槽底部的金属层；

在转接板下表面沉积氧化硅或者氮化硅形成绝缘层，通过干法刻蚀去除空腔底部覆盖在金属层上的绝缘层；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在转接板下表面覆盖种子层；电镀金属，使金属覆盖空腔表面形成金属层，并在200到500度温度下密化金属层，使金属层更致密；

在空腔中用旋涂工艺或者压合工艺进行填充，填充材料采用光刻胶、环氧树脂、热固胶、玻璃粉或无机材料，再通过刻蚀或者研磨工艺去除溢出空腔表面的填充材料，只留下空腔中的填充材料；在转接板下表面用PVD工艺沉积种子层，通过光刻和电镀工艺制作出RDL和互联焊盘；

103)切割成型步骤：切割互联的凹槽和空腔，得到需要的上下互联的转接板，转接板表面通过FC工艺进行贴装芯片，形成转接板芯片。

2.根据权利要求1所述的一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，凹槽、空腔的开口都为圆形、椭圆形或矩形，凹槽、空腔的直径或边长范围都为10nm到1000um之间，深度范围为10nm到1000um之间；

绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；

种子层厚度范围在1nm到100um之间，其本身结构为一层或多层结构，每层的金属材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。

3.根据权利要求1所述的一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，转接板尺寸为4、6、8、12寸中的一种，转接板厚度为200um到2000um，其采用的材质为硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，步骤101)转接板上凹槽中进行填充前，转接板表面绝缘层用干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺去除。

5.根据权利要求1所述的一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，在转接板上表面用PVD工艺沉积种子层前，先沉积生成绝缘层。

6.根据权利要求1所述的一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，转接板采用带有SOI层的硅片，且凹槽底部刚好穿过SOI层。