[发明专利]一种吩嗪基团取代的稠环芳烃衍生物及其应用有效

专利信息
申请号: 202010134333.9 申请日: 2015-09-30
公开(公告)号: CN111303056B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 范洪涛;李银奎;邵爽;任雪艳 申请(专利权)人: 北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司
主分类号: C07D241/46 分类号: C07D241/46;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李静
地址: 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园北领地D区2号楼308*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 吩嗪 基团 取代 芳烃 衍生物 及其 应用
【说明书】:

本发明涉及一种吩嗪基团取代的稠环芳烃衍生物,此类化合物具有如式(1)所示的结构。本发明的吩嗪基团取代的稠环芳烃衍生物,适合于在电发光显示器中作ETL材料。本发明材料的使用,降低了器件的启亮电压,提高了器件的发光效率,增加了器件的使用寿命。。

本申请是申请号201510642570.5,申请日:2015.09.30,发明名称:一种吩嗪基团取代的稠环芳烃衍生物及其应用的分案申请。

技术领域

本发明属于有机电致发光领域,具体涉及一种吩嗪基团取代的稠环芳烃衍生物、其中间体及其制备方法,以及其在电子传输材料中的应用。

背景技术

在电致发光器件中传统使用的电子传输材料是Alq3,但Alq3的电子迁移率比较低(大约在10-6cm2/Vs)。为了提高电致发光器件的电子传输性能,研究人员做了大量的探索性研究工作。

LG化学在中国的专利CN 101003508A说明书中报道了一系列芘的衍生物,在电发光器件中用作电子传输和注入材料,提高了器件的发光效率。曹镛等人合成出FFF-Blm4(J.Am.Chem.Soc.;(Communication);2008;130(11);3282-3283)作为电子传输和注入层材料(与Ba/Al和单独用Al作为阴极相比较),大大地改善了器件的电子注入和传输,提高了电发光效率。柯达公司在美国专利(公开号US 2006/0204784和US 2007/0048545)中,提到混合电子传输层,采用一种低LUMO能级的材料与另一种低器件工作电压的电子传输材料和其他材料如金属材料等掺杂而成。基于这种混合电子传输层的器件,使器件效率得以提高,但是增加了器件制造工艺的复杂性,不利于降低OLED成本。开发稳定高效的电子传输材料和/或电子注入材料,从而降低器件起亮和工作电压,提高器件效率,延长器件寿命,具有很重要的实际应用价值。

发明内容

本发明的目的在于提出一类新型的吩嗪基团取代的稠环芳烃衍生物,该类化合物可以用于有机电致发光显示领域。具体地,这类化合物在有机电致发光显示器中,可用作电子传输材料。

本发明材料的使用,能够有效降低有机电致发光器件的工作电压,且提高有机电致发光器件的发光效率。

为实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:

一种吩嗪基团取代的稠环芳烃衍生物,具有如式(1)所示的结构:

其中:

虚线表示六元并环或不存在;

L为单键、亚芳烃基、亚杂环芳烃基、亚稠环芳烃基或亚稠杂环芳烃基;

R1至R6相同或不同,分别独立选自H、芳烃基、杂环芳烃基、稠环芳烃基、稠杂环芳烃基、取代或未取代的烷基、氰基;

Ar1和Ar2相同或不同,分别独立选自C4-C30的芳环基、杂芳环基、稠环芳烃基或稠杂环芳烃基。

进一步的,具有如(2)至式(3)所示的结构:

上式(2)至式(3)中,Ar1和Ar2相同或不同,分别独立选自C4-C30的芳环基、杂芳环基、稠环芳烃基或稠杂环芳烃基;

L可以是单键、取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚杂环芳基。

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