[发明专利]一种薄膜体电极的制作方法及薄膜有效
| 申请号： | 202010134870.3 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111381077B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 齐成剑;唐秀凤;黄腾程;廖慧珍;张庆浩 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | G01R1/04 | 分类号： | G01R1/04;G01R27/08 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 赵琴娜 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电极 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜体电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
将薄膜放置在衬底上；
通过磁控溅射将导电材料注入到薄膜两端形成薄膜体电极；所述导电材料采用ITO；
通过快速退火工艺优化薄膜体电极与薄膜之间的接触；
其中，所述通过磁控溅射将导电材料注入到薄膜两端包括以下步骤：
使用掩膜板将薄膜中间部分遮挡住并露出薄膜两端；
通过磁控溅射向薄膜两端注入导电材料；所述磁控溅射的功率控制在150W至300W；所述磁控溅射的温度为25℃。
2.根据权利要求1所述的薄膜体电极的制作方法，其特征在于，所述衬底采用玻璃。
3.一种薄膜，其特征在于，包括薄膜本体和在所述薄膜本体两端通过如权利要求1至2任一所述的方法形成的薄膜体电极。
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