[发明专利]存储结构及其制备方法

权利要求书

1.一种存储结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

先在所述基底上形成第一堆叠结构，而后形成刻蚀停止层，之后形成第二堆叠结构，以形成堆叠结构，所述堆叠结构包括位于所述基底上的所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间形成有所述刻蚀停止层；

而后，形成贯穿所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构以及刻蚀停止层的沟道结构，所述沟道结构插入所述基底；

而后，刻蚀所述第二堆叠结构，形成第二台阶堆叠结构；

而后，形成第二伪沟道结构、第二伪狭缝结构、第二台阶栅堆叠结构及第二导电接触，其中，所述第二导电接触包括具有同一平面的第二贯穿接触、第二台阶接触及沟道局部接触；

而后，刻蚀所述第一堆叠结构，形成第一台阶堆叠结构；其中，所述第一台阶栅堆叠结构及第二台阶栅堆叠结构沿所述刻蚀停止层对称分布；

而后，形成第一伪沟道结构、第一伪狭缝结构、第一台阶栅堆叠结构及第一导电接触，其中，所述第一导电接触包括具有同一平面的第一贯穿接触、第一台阶接触及公共源极局部接触。

2.根据权利要求1所述的存储结构制备方法，其特征在于，在形成所述第一台阶堆叠结构之前，包括：

减薄所述基底；

刻蚀部分所述第一堆叠结构和减薄后的所述基底，形成台阶区和非台阶区，且所述基底位于所述非台阶区。

3.根据权利要求1所述的存储结构制备方法，其特征在于，形成贯穿所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构以及刻蚀停止层的所述沟道结构的步骤包括：

于所述基底上形成所述第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括交替层叠的第一电介质层及第一牺牲层；

形成贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，并填充支撑材料；

于所述第一堆叠结构上形成所述刻蚀停止层；

于所述刻蚀停止层上形成所述第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括交替层叠的第二电介质层及第二牺牲层；

形成贯穿所述第二堆叠结构及刻蚀停止层的第二沟道孔；

去除位于所述第一沟道孔中的所述支撑材料；

在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成所述沟道结构。

4.根据权利要求1所述的存储结构制备方法，其特征在于：所述刻蚀停止层包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层、氧化铪层、氧化锆层中的一种或组合叠层。

5.根据权利要求1所述的存储结构制备方法，其特征在于：还包括在所述第二台阶堆叠结构侧形成载体晶圆，在所述基底侧形成CMOS晶圆，以及在形成所述CMOS晶圆后，去除所述载体晶圆的步骤。

6.根据权利要求1所述的存储结构制备方法，其特征在于：还包括形成贯穿所述第二台阶堆叠结构的第二狭缝结构及贯穿所述第一台阶堆叠结构和所述刻蚀停止层的第一狭缝结构的步骤，且所述第二狭缝结构与所述第一狭缝结构电连接。

7.根据权利要求6所述的存储结构制备方法，其特征在于：还包括形成与所述第二狭缝结构电连接的公共源极局部接触的步骤。