[发明专利]光学腔与石墨烯复合结构吸波器

权利要求书

1.一种光学腔与石墨烯复合结构吸波器，其特征在于：包括金属衬底、石墨烯层和介质腔层，石墨烯层连接于金属衬底上表面，介质腔层连接于石墨烯层上表面；所述金属衬底上设置有介质槽，所述介质槽内填充有介质材料，所述介质材料与所述介质腔的材料相同；其中，所述介质腔层由长方体介质按周期排列而成，所述介质腔层的材料为克尔非线性介质，所述介质槽设置在所述长方体介质下方，且其排列周期与所述长方体介质的排列周期相同。

2.根据权利要求1所述的光学腔与石墨烯复合结构吸波器，其特征在于：所述石墨烯层为单层完整的石墨烯。

3.根据权利要求2所述的光学腔与石墨烯复合结构吸波器，其特征在于：所述介质腔层的材料为InGaAsP。

4.根据权利要求3所述的光学腔与石墨烯复合结构吸波器，其特征在于：所述介质槽的形状为长方体。

5.根据权利要求4所述的光学腔与石墨烯复合结构吸波器，其特征在于：每个单元结构包含的介质槽的个数为三个，且介质槽在长方体介质下方等间距排列。

6.根据权利要求5所述的光学腔与石墨烯复合结构吸波器，其特征在于：所述金属衬底的材料为金，所述金属衬底的厚度为500纳米。

7.根据权利要求1～6任一权利要求所述的光学腔与石墨烯复合结构吸波器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、提供洁净的金属衬底；

步骤2、在金属衬底上运用刻蚀技术，使金属衬底上表面形成空气槽结构；

步骤3、在步骤2制备的带有空气槽结构的金属衬底上，沉积一层克尔非线性介质层；

步骤4、使用离子束刻蚀技术，刻蚀步骤3制备的样品上多余的克尔非线性介质，使克尔非线性介质刚好填充满空气槽；

步骤5、在步骤4制备的样品上利用化学气相沉积法制造一层石墨烯；

步骤6、在步骤5的样品上沉积一层克尔非线性介质；

步骤7、使用离子束刻蚀技术，将步骤6沉积的克尔非线性介质刻蚀成周期方块结构，得到石墨烯等离激元多频带完美吸收器。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述的沉积方法为磁控溅射镀膜法、热蒸发镀膜法、真空电子束镀膜技术或离子束溅射镀膜法。