[发明专利]合金和用于制备磁芯的方法有效
申请号: | 202010135613.1 | 申请日: | 2020-03-02 |
公开(公告)号: | CN111640550B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 吉塞赫尔·赫择;维多利亚·布丁斯克;克里斯缇安·波拉克 | 申请(专利权)人: | 真空融化股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/153 | 分类号: | H01F1/153;H01F41/02;H01F3/04;H01F27/25;C22C38/10;C22C38/08;C22C38/16;C22C38/04;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/02;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/46 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈宇;尹淑梅 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合金 用于 制备 方法 | ||
1.一种磁芯,所述磁芯通过下述步骤来制备:
将由非晶态合金制成的带缠绕成环形带芯,所述非晶态合金由式FeaCobNicCudMeSifBgXh表示,其中M是元素V、Nb、Ta、Ti、Mo、W、Zr、Cr、Mn和Hf中的至少一种,a、b、c、d、e、f、g是按原子%计的,X指示杂质及可选的元素P、Ge和C,且a、b、c、d、e、f、g、h满足以下条件:
0≤b≤4
0≤c4
0.5≤d≤2
2.5≤e≤3.5
14.5≤f≤16
6≤g≤7
h0.5
1≤(b+c)≤4.5
其中a+b+c+d+e+f+g=100,
在横穿带长度方向上施加从80kA/m至200kA/m的磁场的情况下对所述环形带芯热处理,并且以五个阶段进行热处理以获得合金,其中,
在阶段1中经过从时间点t0直至时间点t1的持续时间从室温加热到T1,其中300℃≤T1≤500℃且t1-t0为0.5h至2h,
在阶段2中经过从时间点t1直至时间点t2的持续时间从T1加热到T2,其中400℃≤T2≤600℃且t2-t1为0.5h至6h,
在阶段3中经过从时间点t2直至时间点t3的持续时间从T2加热到T3,其中400℃≤T3≤650℃且t3-t2为0h至1h,
在阶段4中在从时间点t3直至时间点t3-1的持续时间保持温度T3,其中t3-1-t3为0.25h至3h,以及
在阶段5中经过从时间点t3-1直至时间点t4的持续时间从T3冷却到室温,其中t4-t3-1为2h至4h,
其中,在所述热处理之后,所述合金
具有其中至少50体积%的晶粒的平均尺寸小于100nm的纳米晶组织,
具有≤1ppm的饱和磁致伸缩|λs|,
具有拥有中央线性部分的滞后回线,
具有10000至15000的磁导率μ,并且
具有1.5%的剩磁比Br/Bs。
2.根据权利要求1所述的磁芯,其中,|λs|≤0.5ppm。
3.根据权利要求1所述的磁芯,其中,所述合金具有10000至12000的磁导率μ。
4.根据权利要求1所述的磁芯,其中0.2≤c4。
5.根据权利要求1所述的磁芯,其中,0.5≤c4。
6.根据权利要求1所述的磁芯,其中,0.2≤c≤3。
7.根据权利要求1所述的磁芯,其中,0.5≤c≤3。
8.根据权利要求1所述的磁芯,其中0.2≤b4。
9.根据权利要求1所述的磁芯,其中0.5≤b≤4。
10.根据权利要求1所述的磁芯,其中0.2≤b≤3。
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