[发明专利]一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法

权利要求书

1.一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，所述宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法包括以下步骤：

步骤一，对宽禁带半导体衬底进行彻底清洗；

步骤二，在经过步骤一彻底清洗的宽禁带半导体衬底上采用旋涂仪旋涂碘化铅或无机钙钛矿前体溶液；

步骤三，经过退火处理后，即可得到高质量的碘化铅和钙钛矿单晶薄膜。

2.如权利要求1所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，步骤一中，所述宽禁带半导体衬底彻底清洗的步骤包括：

(1)在超声清洗机中用异丙醇，乙醇和去离子水各清洗30分钟；

(2)利用紫外臭氧处理衬底15分钟；

(3)紫外臭氧处理后置于加热台上70℃下保温。

3.如权利要求1所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，步骤一中，所述宽禁带半导体衬底是氮化镓，氮化铝，铝镓氮AlGaN，铟镓氮InGaN或碳化硅，也包括单晶硅半导体衬底。

4.如权利要求1所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，步骤二中，所述旋涂仪的转速设置在5000rpm到6000rpm之间。

5.如权利要求1所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，步骤二中，所述碘化铅和钙钛矿溶液前体溶液的温度保持在70℃。

6.如权利要求1所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，步骤二中，所述碘化铅前体溶液的溶质是纯度大于99.9％的碘化铅粉末；溶剂是N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶液；其中，N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的比例为4:1。

7.如权利要求6所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，所述碘化铅前体溶液的浓度是0.5摩尔每升到2摩尔每升。

8.如权利要求1所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，步骤二中，所述钙钛矿溶液的前体溶液的溶质是碘化铅粉末，溴化铅粉末，碘化铯粉末和溴化铯粉末；溶剂是N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶液；其中，N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的比例为1:1。

9.如权利要求8所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，所述钙钛矿溶液的浓度是0.3摩尔每升到0.5摩尔每升。

10.如权利要求1所述的宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，其特征在于，步骤三中，碘化铅和无机钙钛矿薄膜退火的温度为100℃，退火时间为10分钟；退火后的碘化铅薄膜用快速退火炉于350℃的高温下在氮气氛围中退70秒。