[发明专利]真空蒸馍设备

权利要求书

1.一种真空蒸馍设备，其特征在于，包括：

真空室，其包括提供真空环境的空腔；

蒸发源，其设置于空腔内；

第一晶振座，其设置于空腔内，其朝向蒸发源；

第一晶振，其安装于第一晶振座；

第一传感器，其安装于第一晶振座，其用于测量第一晶振的频率变化量并将所测量的第一晶振的频率变化量转换成第一电信号；

前反馈控制模块，其用于获取第一电信号并对材料沉积在第一晶振上的时间进行计时得到沉积时间t，其用于基于所获取的第一电信号得到第一晶振的频率变化量，其用于基于第一晶振的频率变化量计算得到沉积在第一晶振上的材料的质量变化量，再基于沉积在第一晶振上的材料的质量变化量和沉积时间计算得到蒸发源中材料的蒸发速率V；

基片，其设置于空腔内；

基片挡板，其设置于空腔内，其能从基片与蒸发源之间位置之外的位置移动到基片与蒸发源之间位置或从基片与蒸发源之间位置移动到基片与蒸发源之间位置之外的位置；

第一驱动装置，其用于驱动基片挡板从基片与蒸发源之间位置之外的位置移动到基片与蒸发源之间位置或从基片与蒸发源之间位置移动到基片与蒸发源之间位置之外的位置；

第二晶振座，其设置于基片挡板；

第二晶振，其安装于第二晶振座；

第二传感器，其安装于第二晶振座，其用于测量第二晶振的频率变化量并将所测量的第二晶振的频率变化量转换成第二电信号；

后反馈控制模块，其用于获取第二信号，其用于基于所获取的第二电信号得到第二晶振的频率变化量，其用于基于第二晶振的频率变化量换算得到蒸发成气态的材料沉积在基片上膜层厚度的实际测量值；

蒸发源挡板，其设置于空腔内位于蒸发源与基片挡板、第一晶振之间的位置并能沿与蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径相交的轨迹往复移动使挡住蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径的面积增大、减小或保持不变；

第二驱动装置，其用于驱动蒸发源挡板沿与蒸发源中的材料在气相时向第一晶振座、基片流动的路径相交的轨迹往复移动；

总控制模块，其用于将蒸发速率与预定蒸发速率比较得到第一比较结果并基于第一比较结果向前反馈控制模块发出控制第二驱动装置驱动蒸发源挡板沿与蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径相交的轨迹往复移动使挡住蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径的面积增大、减小或保持不变的第一控制信号和将该实际测量值与预定厚度值比较得到第二比较结果并基于第二比较结果向后反馈控制模块发出控制第一驱动装置驱动基片挡板从基片与蒸发源之间位置之外的位置移动到基片与蒸发源之间位置或从基片与蒸发源之间位置移动到基片与蒸发源之间位置之外的位置的第二控制信号。

2.根据权利要求1所述真空蒸馍设备，其特征在于，所述前反馈控制模块基于第一晶振的频率变化量通过公式（1）计算得到沉积在第一晶振上的材料的质量变化量；

————（1）

公式（1）中，ΔF_S1表示第一晶振的频率变化量，Δm1表示沉积在第一晶振上的材料的质量变化量，f₀₁表示第一晶振的基本频率，ρ_Q1表示第一晶振的密度，μ_Q1表示第一晶振的剪应力，A₁表示第一晶振的电极面积，N表示常数。

3.根据权利要求2所述真空蒸馍设备，其特征在于，所述前反馈控制模块基于沉积在第一晶振上的材料的质量变化量和沉积时间通过公式（3）计算得到蒸发源中材料的蒸发速率V，

V=Δm1/t————（3）。

4.根据权利要求1所述真空蒸馍设备，其特征在于，所述后反馈控制模块基于第二晶振的频率变化量通过公式（2）换算得到蒸发成气态的材料沉积在基片上膜层厚度的实际测量值；

————（2）

公式（2）中，ΔF_S2表示第二晶振的频率变化量，Δm2表示沉积在第二晶振上的材料的质量变化量，f₀₂表示第二晶振的基本频率，ρ_Q2表示第二晶振的密度，μ_Q2表示第二晶振的剪应力，A₂表示第二晶振的电极面积，N表示常数，表示换算得到蒸发成气态的材料沉积在基片上膜层厚度的实际测量值。