[发明专利]导热石墨膜的制备方法有效
申请号: | 202010138381.5 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN111212555B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 杨文斌;吴永飞;陈夫忠;陈浩;赵化平;王亚东 | 申请(专利权)人: | 世星科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20;C01B32/21;C01B32/205 |
代理公司: | 苏州通途佳捷专利代理事务所(普通合伙) 32367 | 代理人: | 李阳 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导热 石墨 制备 方法 | ||
1.导热石墨膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤一:将PI膜进行烧制热处理得到导热石墨膜半成品;
步骤二:将天然石墨微片或人工石墨膜废料经过Hummers法氧化并经过强酸氧化,然后经过水洗、酸碱中和处理得到氧化石墨烯浆料;
步骤三:将得到的氧化石墨烯浆料与蒸馏水和胶黏剂掺在一起,然后高速搅拌均匀,得到氧化石墨烯浆料混合液;
步骤四:将得到的氧化石墨烯浆料混合液经过喷涂、悬涂或浸涂工艺均匀地涂布在导热石墨膜半成品表面得到导热石墨膜;
步骤五:将得到的导热石墨膜先后经过脱水、脱焦及氧化石墨烯还原和石墨结晶化处理得到膨化后的石墨膜;
步骤六:将得到的膨化后的石墨膜经过重压作用进行压延得到高密度的高导热石墨膜成品;
所述步骤一中PI膜的厚度为17-40μm;
所述步骤五中脱水的温度为80-120℃;
所述步骤五中脱焦的温度为150-1200℃;
所述步骤五中石墨结晶化处理的温度为1200-2800℃;
所述步骤三中蒸馏水的比例为50-80%;
所述步骤三中胶黏剂的比例为1-10%;
所述步骤三中氧化石墨烯浆料的比例为20-50%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世星科技股份有限公司,未经世星科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010138381.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。