[发明专利]一种具有在线监测功能的半导体清洗装置

权利要求书

1.一种具有在线监测功能的半导体清洗装置，其特征在于，包括：清洗腔室(1)、设于所述清洗腔室(1)内并用于对刻蚀后阵列基片进行清洗的清洗装置(2)、监测腔室(3)、抽气装置(4)、用于监测清洗后阵列基片外观形貌及表面粗糙度的第一监测装置(5)、用于监测清洗后阵列基片表面晶相变化的第二监测装置(6)、用于监测清洗后阵列基片表面翘曲变化的第三监测装置(7)以及用于传送阵列基片的传送装置(8)，所述清洗装置(2)及所述监测腔室(3)依次与蚀刻腔连通，所述抽气装置(4)的进气口与所述监测腔室(3)连通，所述第一监测装置(5)及所述第二监测装置(6)设于所述监测腔室(3)上，所述第三监测装置(7)设于所述监测腔室(3)内。

2.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述清洗装置(2)包括用于承载刻蚀后阵列基片的清洗池(9)及位于所述清洗池(9)上方并用于对所述清洗池(9)内阵列基片进行清洗的清洗喷嘴(10)，所述清洗喷嘴(10)设于所述清洗腔室(1)内。

3.根据权利要求2所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述清洗装置(2)还包括用于加热并控制所述清洗池(9)温度的温控台(11)，所述清洗池(9)坐设于所述温控台(11)上，所述温控台(11)固定于所述传送装置(8)上。

4.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述第一监测装置(5)包括透镜结构(12)和电子发生结构(13)，所述透镜结构(12)设于所述电子发生结构(13)上，所述电子发生结构(13)固定于所述监测腔室(3)上。

5.根据权利要求4所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述第一监测装置(5)还包括二轴滑台(14)，所述二轴滑台(14)设于所述监测腔室(3)顶部，所述电子发生结构(13)设于所述二轴滑台(14)中的纵向滑台上。

6.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述第二监测装置(6)包括X射线发生器(15)及X射线探测器(16)，所述X射线发生器(15)和所述X射线探测器(16)固定于所述监测腔室(3)上。

7.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述第三监测装置(7)包括CCD相机(17)和所述所述CCD相机(17)一侧的光线发生器(18)，所述CCD相机(17)及所述光线发生器(18)设于所述监测腔室(3)上。

8.根据权利要求1所述的监测系统，其特征在于，所述抽气装置(4)为冷凝泵。