[发明专利]扇出型封装的重布线层结构及其制法

权利要求书

1.一种扇出型封装的重布线层结构，其特征在于，包括：

一第一介电绝缘层，用以形成于一基层上；

一第一金属离子层，形成于该第一介电绝缘层；

一第一图案线路层，形成于该第一金属离子层上，并与该第一介电绝缘层之间形成一第一空隙；以及

一第二介电绝缘层，形成于该第一金属离子层及该第一图案线路层上。

2.权利要求如权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，进一步包括：

一第二金属离子层，形成于该第二介电绝缘层上；

一第二图案线路层，形成于该第二介电绝缘层上，并与该第二介电绝缘层之间形成一第二空隙；以及

一第三介电绝缘层，形成于该第二金属离子层及该第二图案线路层上。

3.如权利要求2所述的重布线层结构，其特征在于：

该第一介电金属层进一步包含有多个第一导电孔，各该第一导电孔与该第一图案线路层连接；以及

该第三介电绝缘层进一步包含有多个第二导电孔，各该第二导电孔与该第二图案线路层连接。

4.如权利要求2或3所述的重布线层结构，其特征在于：

该第一及第二图案线路层材质为钛及铜；以及

该第一及第二金离子层以铜离子、铁离子、锰离子、铝离子其中之一或其组合的1～20原子百分比浓度(at％)成形之。

5.如权利要求4所述的重布线层结构，其特征在于：

各该第一及第二金属离子层的厚度为20nm～500nm；

各该第一至第三介电绝缘层的厚度为0.1um～10um；以及

各该空隙高度为50nm～500nm。

6.一种扇出型封装的重布线层结构的制法，其特征在于，包括：

(a)于一基层上形成一第一介电绝缘层；

(b)于该第一介电绝缘层上植入一金属离子层；

(c)于该金属离子层上形成一图案线路层；

(d)于该金属离子层及该图案线路层上形成一第二介电绝缘层；以及

(e)置入一高温高湿环境，使该图案线路层与该第一介电绝缘层之间形成空隙。

7.如权利要求6所述的重布线层结构的制法，其特征在于：

于上述步骤(b)中，以离子枪将金属离子植入该金属离子层；以及

上述步骤(c)包括：

(c1)以物理气相沉积制程于该金属离子层上依序形成一钛阻障层及一铜晶种层；

(c2)于该铜晶种层上形成一光阻层，并以曝光显影制程对该光阻层形成多个开口；

(c3)以化学电镀铜，于该光阻层的各该开口内形成铜层，以构成该图案线路层；

(c4)移除光阻层；以及

(c5)蚀刻外露于各该铜层外的该铜晶种层。

8.如权利要求7所述的重布线层结构的制法，其特征在于：于上述步骤(b)中，该离子枪以铜离子、铁离子、锰离子、铝离子其中之一或其组合的1～20原子百分比浓度(at％)植入在该第一介电绝缘层，以构成该第一金属离子层。

9.如权利要求7或8所述的重布线层结构的制法，其特征在于：

于上述步骤(a)中，图案化该第一介电绝缘层，使该第一介电绝缘层形成多个穿孔；以及

于上述步骤(c1)，该铜晶种层进一步形成于各该穿孔内壁；

于上述步骤(c3)，各该穿孔填充铜，而构成一导电孔。

10.如权利要求9所述的重布线层结构的制法，其特征在于：

该金属离子层的厚度为20nm～500nm；

各该第一及第二介电绝缘层的厚度为0.1um～10um；以及

各该空隙高度为50nm～500nm。