[发明专利]一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂及其处理方法

权利要求书

1.一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂，其特征在于，按质量百分计包括以下组分：

混合酸5％～45％；

晶向腐蚀控制剂0.1％～1％；

微泡消除剂5％～10％；

余量为水。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂，其特征在于，所述混合酸包括氢氟酸、硫酸、磷酸、硝酸、冰醋酸、盐酸中的至少两种。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂，其特征在于，所述晶向腐蚀控制剂为大分子六元环状结构化合物。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂，其特征在于，所述晶向腐蚀控制剂为多元糖类化合物，优选葡萄糖、蔗糖、D-果糖、D-核糖、L-核糖、壳聚糖、DL-木糖、乳糖酸、壳三糖、壳五糖、壳六糖、壳寡糖、山梨糖、异乳糖、木聚糖、棉子糖、D-苷露糖、D-木糖中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂，其特征在于，所述的微泡消除剂为小分子醇类物质，优选甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂，其特征在于，所述水为工业纯水，其电阻率大于18MΩ.cm。

7.一种利用权利要求1-6任一项所述的微蚀刻粗糙处理剂对晶圆硅片表面进行处理的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将晶圆硅片放入微蚀刻粗糙处理剂中，并在微蚀刻粗糙处理剂循环流动的条件下，使微蚀刻粗糙处理剂对晶圆硅片表面进行处理，处理时间为50秒～120秒，处理温度为33～35℃；

(2)利用去离子水对晶圆硅片进行清洗，然后利用氮气进行烘干，得到表面具有倒余弦图案纳米结构的晶圆硅片。

8.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，步骤(2)得到的晶圆硅片表面无针孔。