[发明专利]流体传感器在审
| 申请号： | 202010139547.5 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111650395A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 秋山典之;山本洋太 | 申请（专利权）人： | 美蓓亚三美株式会社 |
| 主分类号： | G01P5/12 | 分类号： | G01P5/12;G01P13/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;宋春华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流体 传感器 | ||
1.一种流体传感器，其特征在于，具有：
主发热电阻体；
一对X轴温度检测体，其配置于以上述主发热电阻体为中心在X轴方向上对置的位置；
一对Y轴温度检测体，其配置于以上述主发热电阻体为中心在Y轴方向上对置的位置；以及
副发热电阻体，其连接于上述主发热电阻体，且配置于上述X轴温度检测体与上述Y轴温度检测体之间。
2.根据权利要求1所述的流体传感器，其特征在于，
上述副发热电阻体配置于相对于上述X轴方向及上述Y轴方向成45°的角度的位置。
3.根据权利要求2所述的流体传感器，其特征在于，
上述副发热电阻体存在四个，且为相对于上述X轴及上述Y轴对称的形状。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的流体传感器，其特征在于，
上述副发热电阻体为蜿蜒构造。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的流体传感器，其特征在于，
上述主发热电阻体被分割成第一发热电阻体和第二发热电阻体，
上述副发热电阻体存在四个，四个上述副发热电阻体中的两个连接于上述第一发热电阻体，另外两个连接于上述第二发热电阻体。
6.根据权利要求5所述的流体传感器，其特征在于，
上述第一发热电阻体及上述第二发热电阻体为蜿蜒构造。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的流体传感器，其特征在于，
上述X轴温度检测体及上述Y轴温度检测体由掺加有铝及钛的氧化钒形成。
8.根据权利要求7所述的流体传感器，其特征在于，
上述铝的掺加浓度在1～10％的范围内，上述钛的掺加浓度在10～20％的范围内。
9.一种流体传感器，其特征在于，具有：
发热电阻体；
一对X轴温度检测体，其配置于以上述发热电阻体为中心在X轴方向上对置的位置；以及
一对Y轴温度检测体，其配置于以上述发热电阻体为中心在Y轴方向上对置的位置，
上述发热电阻体被分割成第一发热电阻体和第二发热电阻体。
10.根据权利要求9所述的流体传感器，其特征在于，
上述第一发热电阻体和上述第二发热电阻体被分割为相对于上述X轴或上述Y轴对称的形状。
11.根据权利要求9或10所述的流体传感器，其特征在于，
上述第一发热电阻体及上述第二发热电阻体分别为将一根配线折回而形成的蜿蜒构造。
12.根据权利要求9或10所述的流体传感器，其特征在于，
上述X轴温度检测体及上述Y轴温度检测体由掺加有铝及钛的氧化钒形成。
13.根据权利要求12所述的流体传感器，其特征在于，
上述铝的掺加浓度在1～10％的范围内，上述钛的掺加浓度在10～20％的范围内。
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