[发明专利]IGBT器件开路和短路检测方法、系统和存储介质在审
申请号: | 202010139673.0 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN111398763A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 李博强;韩聪 | 申请(专利权)人: | 广东芯聚能半导体有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黎扬鹏 |
地址: | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 器件 开路 短路 检测 方法 系统 存储 介质 | ||
1.一种IGBT器件开路和短路检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取IGBT器件的电参数;
根据所述电参数判断IGBT器件外部的短路故障;
根据所述电参数判断IGBT器件外部的开路故障。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件开路和短路检测方法,其特征在于,所述电参数包括阈值电压、标准阈值电压、击穿电压和标准击穿电压。
3.根据权利要求2所述的IGBT器件开路和短路检测方法,其特征在于,所述根据所述电参数判断IGBT器件外部的短路故障,其具体包括:
当所述阈值电压处于标准阈值电压的范围内且所述击穿电压小于最小标准击穿电压,判定所述IGBT器件为G-C短路;
当所述阈值电压小于最小标准阈值电压且所述击穿电压处于标准击穿电压的范围内,判定所述IGBT器件为G-E短路;
当所述阈值电压小于最小标准阈值电压且所述击穿电压小于最小标准击穿电压,判定所述IGBT器件为C-E短路。
4.根据权利要求2所述的IGBT器件开路和短路检测方法,其特征在于,所述根据所述电参数判断IGBT器件外部的开路故障,其具体包括:
当所述阈值电压大于最大标准阈值电压且所述击穿电压小于最小标准击穿电压,判定所述IGBT器件为G开路或E开路;
当所述阈值电压大于最大标准阈值电压且所述击穿电压处于标准击穿电压的范围内,判定所述IGBT器件为C开路。
5.根据权利要求1所述的IGBT器件开路和短路检测方法,其特征在于,所述电参数包括阈值电压、标准阈值电压、截止电流和标准截止电流。
6.根据权利要求5所述的IGBT器件开路和短路检测方法,其特征在于,所述根据所述电参数判断IGBT器件外部的短路故障,其具体包括:
当所述阈值电压处于标准阈值电压的范围内且所述截止电流大于最大标准截止电流,判定所述IGBT器件为G-C短路;
当所述阈值电压小于最小标准阈值电压且所述截止电流处于标准截止电流的范围内,判定所述IGBT器件为G-E短路;
当所述阈值电压小于最小标准阈值电压且所述截止电流大于最大标准截止电流,判定所述IGBT器件为C-E短路。
7.根据权利要求5所述的IGBT器件开路和短路检测方法,其特征在于,所述根据所述电参数判断IGBT器件外部的开路故障,其具体包括:
当所述阈值电压大于最大标准阈值电压且所述截止电流大于最大标准截止电流,判定所述IGBT器件为G开路;
当所述阈值电压大于最大标准阈值电压且所述截止电流小于最大标准截止电流,判定所述IGBT器件为C开路或E开路。
8.一种IGBT器件开路和短路检测系统,其特征在于,包括:
电参数传感器,用于测量IGBT器件的电参数;
处理器,用于根据所述电参数判断IGBT器件外部的短路和开路故障。
9.一种IGBT器件开路和短路检测系统,其特征在于,包括:
测量模块,用于获取IGBT器件的电参数;
处理模块,用于根据所述电参数判断IGBT器件外部的短路和开路故障。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的IGBT器件开路和短路检测方法。
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