[发明专利]切割芯片接合薄膜

说明书

提供切割芯片接合薄膜，其适于在低温条件下实施用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的扩展工序。本发明的切割芯片接合薄膜X具有包含切割带(10)及芯片接合薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)的粘合剂层(12)侧的表面在对SUS平面在‑15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。芯片接合薄膜(20)以可剥离的方式密合于切割带(10)所具有的粘合剂层(12)。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造过程中可以使用的切割芯片接合薄膜。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，在得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有粘接剂层的半导体芯片的方面，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和以可剥离的方式密合于其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。芯片接合薄膜具有超过作为工件的半导体晶圆的尺寸的圆盘形状、对例如具有超过该芯片接合薄膜的尺寸的圆盘形状的切割带以同心圆状贴合于其粘合剂层侧。在切割带的粘合剂层中未被芯片接合薄膜覆盖的芯片接合薄膜周围的区域可贴附有环框。环框是以贴附于切割带的状态在各种装置所具备的输送臂等输送机构输送工件时机械地抵接的构件。

这样的切割芯片接合薄膜例如可以如下来使用。首先，在将环框贴附于切割带的芯片接合薄膜周围的粘合区域的状态下，将作为工件的半导体晶圆贴合于芯片接合薄膜上。接着，对切割芯片接合薄膜和/或处于被保持在其芯片接合薄膜的状态的半导体晶圆进行刀片切割。在刀片切割中，半导体晶圆及与其密合的芯片接合薄膜受到基于高速旋转的切割刀片的切削加工，从而被单片化为分别带有小片的粘接薄膜的多个半导体芯片。

另一方面，作为使用切割芯片接合薄膜得到带有粘接剂层的半导体芯片的另一方法，已知有经过对切割芯片接合薄膜进行扩展并将芯片接合薄膜割断的扩展工序的方法。

该方法中，首先，对于切割芯片接合薄膜，在将环框贴附于切割带的芯片接合薄膜周围的粘合区域的状态下、在芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜一起被割断从而可单片化为多个半导体芯片的方式来实施规定的加工。

接着，对切割芯片接合薄膜和处于被保持于其的状态的半导体晶圆使用扩展装置来实施扩展工序。扩展工序中，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合于半导体芯片的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，通过扩展装置使切割芯片接合薄膜的切割带沿包括半导体晶圆的径向及圆周方向的二维方向进行拉伸。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜上和/或切割带上实现半导体晶圆的单片化。利用这样的方法，可避免使用切割刀片的上述刀片切割中的磨削加工时可能会引起的工件的破裂、缺陷。切割对象的半导体晶圆越薄，越容易产生该破裂、缺陷。

对于例如以上那样使用的切割芯片接合薄膜的相关技术，记载于例如下述的专利文献1、2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

发明内容

发明要解决的问题

上述扩展工序有时以芯片接合薄膜容易发生割断的方式在-15℃左右的低温条件实施。但是，使用切割芯片接合薄膜并在这样的低温条件下实施扩展工序时，以往以来，有时切割带会从环框剥离。

本发明是基于如上所述的情况而想到的，其目的在于，提供适于在低温条件下实施用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的扩展工序的切割芯片接合薄膜。

用于解决问题的方案