[发明专利]阵列基板及其修复方法、液晶显示面板在审
申请号: | 202010139829.5 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN111308817A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 赵赫 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 修复 方法 液晶显示 面板 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其修复方法、液晶显示面板,该阵列基板通过在第一金属层内设置第一连接线,在第二金属层内设置第二连接线,第二连接线在衬底上的投影,与相邻的两条第一连接线在衬底上的投影存在部分重合,第二连接端子在衬底上的投影,分别与第一数据线、第二数据线在衬底上的投影部分重合;当数据线发生断点时,可以通过将断点两端的数据线分别与相邻的两条第一连接线熔接,将相邻的两条第一连接线与第二连接线熔接,将相邻的两条第一连接线与公共电极线断开,实现断点两端数据线的重新连接;该技术方案极大地改进了现有TFT‑LCD垂直断线修复技术的缺陷。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及其修复方法、液晶显示面板。
背景技术
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)中,由于TFT制程存在缺陷会出现垂直断线的问题,从而导致显示面板的一些像素点始终呈现亮态的现象。
现有技术中一般采用长膜修复的方式对断线的进行修复,如图1所示,将断线101借助长膜102修复导通,然后再对相邻的像素103做暗点处理。但是这种修复方法存在一些列缺陷:在TFT检测阶段对断线进行修复后,在后段的清洗及返工过程中极易造成长膜断裂,导致修复失败;对于在TFT检测阶段未检测出来而在液晶盒检测阶段检测出来的断线,该方法无法进行修复;对于长断线,即跨越两个以上像素的垂直断线问题,该方法无法修复;采用长膜修复还伴有暗点化。
因此,现有TFT-LCD垂直断线修复技术存在缺陷的问题,需要改进。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其修复方法、液晶显示面板,以改进现有TFT-LCD垂直断线修复技术的缺陷。
为解决以上问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,其包括
衬底;
第一金属层,形成于所述衬底上,包括栅极线、公共电极线、以及第一连接线,所述栅极线与所述公共电极线相互平行,所述第一连接线和所述公共电极线连接,所述第一连接线和所述栅极线断接;
第二金属层,形成于所述第一金属层之上,包括数据线以及第二连接线,所述数据线和所述第二连接线相互平行;
其中,所述第二连接线在衬底上的投影,与相邻的两条所述第一连接线在衬底上的投影存在部分重合,所述第一连接线在所述衬底上的投影,与相邻的两条所述数据线在衬底上的投影存在部分重合;
当所述数据线发生断点时,将所述断点两端的所述数据线分别与相邻的两条所述第一连接线连接,将相邻的两条所述第一连接线与所述第二连接线连接,将相邻的两条所述第一连接线与所述公共电极线断开,实现所述数据线的重新连接。
在本发明提供的阵列基板中,所述第一连接线包括第一连接线部、第一连接端子和第二连接端子,所述第一连接端子和所述第二连接端子分别位于所述第一连接线部的两端,所述第一连接端子与所述公共电极线连接,所述第二连接端子在所述衬底上的投影,与相邻的两条所述数据线在所述衬底上的投影重合。
在本发明提供的阵列基板中,所述公共电极线包括公共电极线部和存储电容的第一电极板,所述第一连接端子与所述存储电容的第一电极板连接,所述第一连接线部与所述公共电极线部相互垂直,所述第一连接线部与所述公共电极线部不接触。
在本发明提供的阵列基板中,所述第二金属层包括薄膜晶体管的源极、漏极、以及存储电容的第二电极板,所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述薄膜晶体管的漏极与所述存储电容的第二电极板连接。
在本发明提供的阵列基板中,所述数据线包括第一数据线和第二数据线,所述第一数据线与奇数行的所述薄膜晶体管的源极连接、所述第二数据线与偶数行的所述薄膜晶体管的源极连接。
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