[发明专利]金属互连层的制作方法

权利要求书

1.一种金属互连层的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体基底，所述半导体基底中开设有至少一个凹槽；

形成一金属层于所述半导体基底上，所述金属层填充所述凹槽并向上凸出所述凹槽至第一高度，所述金属层还覆盖所述半导体基底的顶表面，并且所述金属层中覆盖所述半导体基底顶表面部分的顶部位置对应于第二高度的位置，所述第一高度高于所述第二高度；

刻蚀所述金属层中至少对应于所述凹槽的部分，以使所述金属层中对应于所述凹槽部分的顶部位置降低至第三高度的位置，所述第三高度与所述第二高度之间的高度差小于所述第一高度和所述第二高度之间的高度差。

2.如权利要求1所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，所述第三高度与所述第二高度之间的高度差小于或等于50nm。

3.如权利要求1所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，所述半导体基底中定义有凹槽区域，所述至少一个凹槽形成在所述凹槽区域中；其中，所述金属层中对应于所述凹槽区域部分的顶部位置对应于第一高度的位置，所述金属层中对应于除凹槽区域之外的区域部分的顶部位置对应于第二高度的位置；

以及，刻蚀所述金属层中至少对应于所述凹槽部分的方法包括：刻蚀所述金属层中对应于所述凹槽区域部分的顶部位置以使所述金属层中对应于所述凹槽区域部分的顶部位置降低至第三高度的位置。

4.如权利要求3所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，形成一金属层于所述半导体基底上的方法包括：利用电镀工艺在所述半导体基底上形成所述金属层。

5.如权利要求4所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，在电镀形成所述金属层之前，所述方法还包括：

在所述凹槽区域中的所述凹槽中和所述凹槽外围的半导体基底顶表面上分布促进剂。

6.如权利要求1所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成金属层之前，所述方法还包括：形成一连接层于所述半导体基底上，所述连接层覆盖所述半导体基底顶表面、所述至少一个凹槽侧壁的表面以及所述至少一个凹槽底壁的表面。

7.如权利要求6所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，所述连接层的材质包括金属。

8.如权利要求1所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，在刻蚀所述金属层之后，所述方法还包括：利用研磨工艺研磨所述半导体基底上方的金属层，以暴露出所述半导体基底的表面。

9.如权利要求1至8任一所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质包括铜。

10.如权利要求1所述的金属互连层的制作方法，其特征在于，所述半导体基底包括一绝缘层，所述至少一个凹槽开设于所述绝缘层中。