[发明专利]一种显示用基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010140285.4 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN111326531A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;刘宁;周斌;成军;王庆贺;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 用基板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示用基板及其制备方法、显示装置,能够保证后续制作的膜层在覆盖双层图案时,不在双层图案的边缘发生开裂,从而保证后续制作的膜层的覆盖性。显示面板包括:衬底基板;设置在衬底基板上的双层图案,双层图案包括沿衬底基板厚度方向层叠设置的第一导电图案和第二导电图案,第一导电图案相比于第二导电图案靠近衬底基板,第二导电图案在衬底基板的正投影位于第一导电图案在衬底基板的正投影以内;第一导电图案和第二导电图案的材料不同。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示用基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
现有技术中的显示面板通常包括多种导电图案,为了保证其可靠性,通常将该导电图案设置为双层图案。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示用基板及其制备方法、显示装置,能够保证后续制作的膜层在覆盖双层图案时,不在双层图案的边缘发生开裂,从而保证后续制作的膜层的覆盖性。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供一种显示用基板,包括:衬底基板。设置在所述衬底基板上的双层图案,所述双层图案包括沿所述衬底基板厚度方向层叠设置的第一导电图案和第二导电图案,所述第一导电图案相比于所述第二导电图案靠近所述衬底基板,所述第二导电图案在所述衬底基板的正投影位于所述第一导电图案在所述衬底基板的正投影以内。所述第一导电图案和所述第二导电图案的材料不同。
本发明实施例提供的阵列基板包括双层图案,通过使双层图案包括沿衬底基板厚度方向层叠设置的第一导电图案和第二导电图案,第一导电图案相比于第二导电图案靠近衬底基板,第二导电图案在衬底基板的正投影位于第一导电图案在衬底基板的正投影以内;第一导电图案和第二导电图案的材料不同。这样一来,由于第二导电图案在衬底基板的正投影位于第一导电图案在衬底基板的正投影以内,即第一导电图案的边缘大于第二导电图案的边缘,则在第二导电图案的边缘不会出现尖端,保证后续制作的膜层在覆盖双层图案时,不会在第二导电图案的边缘发生开裂,从而保证了后续制作的膜层的覆盖性。
可选的,所述第二导电图案的边缘在所述衬底基板的正投影与所述第一导电图案的边缘在所述衬底基板的正投影之间具有间隙。
可选的,所述间隙的宽度为0.1um~1um之间。
可选的,所述第一导电图案和所述第二导电图案的材料均为金属。
可选的,所述第一导电图案的材料为金属,所述第二导电图案的材料为透明的金属氧化物。
或者,所述第一导电图案的材料为金属氧化物,所述第二导电图案的材料为金属。
可选的,所述双层图案为栅线、数据线、电源线、薄膜晶体管中的栅极、源极和漏极以及发光器件中的阳极中的至少一种。
可选的,所述显示用基板还包括:设置在所述衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层至少覆盖所述第一导电图案的侧面、所述第二导电图案的侧面以及所述第一导电图案的侧面和所述第二导电图案的侧面之间的间隙。
另一方面,本发明实施例提供一种显示装置,包括上述显示用基板。
再一方面,本发明实施例提供一种显示用基板的制作方法,包括:在衬底基板上依次形成第一导电薄膜和第二导电薄膜。
在所述第二导电薄膜的部分表面上形成光刻胶图案。
采用第二刻蚀液刻蚀所述第二导电薄膜,以形成位于所述光刻胶图案下方的第三导电图案。
采用第一刻蚀液刻蚀所述第一导电薄膜,以形成位于所述第三导电图案下方的第一导电图案。
采用第二刻蚀液刻蚀所述第三导电图案,以形成第二导电图案。
剥离所述光刻胶图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的