[发明专利]一种提高青霉素产量的物理刺激方法在审

专利信息
申请号: 202010141081.2 申请日: 2020-03-03
公开(公告)号: CN113337567A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 吴松杰;郑永平;董飞宏;张珏 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C12P37/00 分类号: C12P37/00;C12N13/00;C12R1/82
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 青霉素 产量 物理 刺激 方法
【权利要求书】:

1.一种提高青霉素产量的物理刺激方法,由如下步骤组成:1)制备大气压低温等离子体活化水PAW,进一步形成大气压低温等离子体活化固态培养基PASM以及大气压低温等离子体活化微泡PAB;2)将土壤分离所得的产黄青霉菌悬液接种于PASM,置于培养箱培养;3)将2)中培养完成的PASM制备形成产黄青霉菌孢子溶液,加入PAB后用纳秒脉冲功率技术刺激处理,所述PAB的添加量为0.1-0.3mL/L;纳秒脉冲功率技术的脉冲宽度为30-150ns,电场强度为6-15kV/cm,脉冲重复频率为0.5~5Hz,脉冲个数为8~30个;4)将步骤1)中制备得到的PAW,基于剂量自动控制方法通过点滴方式加入到含有经过步骤3)处理过的产黄青霉菌孢子溶液的培养基中进行发酵,使得青霉素产量得到提高。

2.根据权利要求1所述的大气压低温等离子体活化水PAW,其特征在于,所述PAW采用大气压低温等离子体装置伸入去离子水中制备得到;其中,大气压低温等离子体的电子密度大于1015/cm3,臭氧浓度小于0.001ppm,工作气源为空气,激发端所处位置在去离子水液面之下,且与液面的距离为10-30mm;处理功率为25-40W,处理时长为5-20min;处理后稀释100-500倍得到PAW。

3.根据权利要求1所述的大气压低温等离子体活化固态培养基PASM,其特征在于,所述PASM通过在固态培养基冷凝之前加入PAW制备而成,其中PAW的添加量为1-2mL/L。

4.根据权利要求1所述的气压低温等离子体活化微泡PAB,其特征在于,通过在微泡制备过程中加入PAW得到,其中PAW的添加量为5-10mL/L,PAB的微泡粒径在2-100um。

5.根据权利要求1所述的大气压低温等离子体活化水的剂量自动控制方法,其特征在于,根据培养基中NO或H2O2的浓度进行检测,当NO或H2O2的浓度低于设定值时,按照设定的点滴速率向培养基中添加PAW;其中,检测间隔时间为1-4小时,培养基中NO浓度的设定值为100-300nM,H2O2浓度的设定值为0.3-3mM,每1L培养基补充大气压低温等离子体活化水的点滴速率为每小时5-20mL。

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