[发明专利]半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法在审

专利信息
申请号: 202010141333.1 申请日: 2020-03-04
公开(公告)号: CN112086456A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 郑圭镐;宋政奎;金润洙;李周浩 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242;H01L49/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘美华;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 制造 方法
【说明书】:

公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器,电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层,氧化锆铝层包括:第一锆区域,与第一电极相邻;第一铝区域;第二铝区域,与第二电极相邻;以及第二锆区域,位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧,并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧,并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离,第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。

本申请要求于2019年6月14日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0070993号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体存储器装置和一种制造该半导体存储器装置的方法。

背景技术

半导体装置由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。然而,随着电子工业的显著发展,半导体装置正在高度集成。半导体装置的图案的线宽为了其高集成度正在减小。新的曝光技术和/或昂贵的曝光技术可以用于精细图案,以制造高度集成的半导体装置。因此,近来已经对新的集成技术进行了各种研究。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有提高的可靠性的半导体存储器装置。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种制造半导体存储器装置的方法,该方法能够减小漏电流。

根据本发明构思的一些示例实施例,半导体存储器装置可以包括电容器。电容器可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的介电层。介电层可以包括氧化锆铝层,氧化锆铝层包括:第一锆区域,与第一电极相邻;第一铝区域,与第一电极和第二电极两者分隔开;第二铝区域,与第二电极相邻;以及第二锆区域,位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域中的每个可以包括锆和氧,并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域中的每个可以包括铝和氧,并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以彼此分隔开第一距离,第一铝区域和第二锆区域可以彼此分隔开第二距离,第二距离可以比第一距离短。

根据本发明构思的一些示例实施例,半导体存储器装置可以包括电容器。电容器可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的介电层。介电层可以包括与第一电极相邻的氧化铪层以及与第二电极相邻的氧化锆铝层。氧化锆铝层可以包括接触氧化铪层的第一表面以及接触第二电极的第二表面,并且氧化锆铝层中的铝浓度可以在第二表面处最高并且在第一表面处最低。

根据本发明构思的一些示例实施例,半导体存储器装置可以包括电容器。电容器可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的介电层。介电层可以包括第一介电层,第一介电层包括A金属、B金属和氧,并且第一介电层中的B金属的浓度可以为在与第一电极相邻处最低并且为在与第二电极相邻处最高。

根据本发明构思的一些示例实施例,制造半导体存储器装置的方法可以包括以下步骤:在基底上沉积第一氧化锆层;在第一氧化锆层上沉积第一氧化铝层;在第一氧化铝层上沉积第二氧化锆层;以及执行第一退火工艺,第一退火工艺使得第一氧化铝层中的铝原子扩散到第一氧化锆层和第二氧化锆层中,从而形成包括第一扩散区域和第二扩散区域的初始介电层。所述方法还包括以下步骤:在初始介电层上沉积第三氧化锆层;以及在第三氧化锆层上沉积第二氧化铝层。

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