[发明专利]一种封装构件及其制备方法

权利要求书

1.一种封装构件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一散热基板，所述散热基板具有相对的第一表面和第二表面；

(2)对所述散热基板的所述第二表面进行刻蚀以形成多个凹孔；

(3)接着在所述散热基板的所述第一表面上形成绝缘层；

(4)接着在所述绝缘层上形成电路布线层；

(5)在所述电路布线层上安装多个半导体元件和多个导电引脚；

(6)将安装有所述半导体元件和所述导电引脚的散热基板置于模具中，所述散热基板的所述第二表面紧贴所述模具的模具腔的底面，接着向所述模具腔注入封装树脂材料以形成封装胶体；

(7)接着在所述封装胶体的四周形成多个间隔设置的穿孔，所述穿孔贯穿所述封装胶体；

(8)提供多个金属导电柱，接着在每个所述金属导电柱的侧面均形成多个贯穿所述金属导电柱的通孔；

(9)接着将步骤(8)得到的多个所述金属导电柱分别嵌入到相应的所述穿孔中，接着对所述封装胶体进行热压合工艺，以使得部分的封装胶体嵌入到所述金属导电柱的所述通孔中；

其中，在所述步骤(9)中，所述热压合工艺具体为：以升温速率为20-30℃/min的条件下升温至90-120℃，同时以600-900g/min的速度逐渐增加压合重量至1000-2000g，保持5-10分钟；接着以升温速率为10-20℃/min的条件下升温至130-150℃，同时以500-800g/min的速度逐渐增加压合重量至2500-4000g，保持10-15分钟；接着以升温速率为25-35℃/min的条件下升温至180-200℃，同时以300-500g/min的速度逐渐减少压合重量至1800-2400g，保持20-25分钟，接着以600-800g/min的速度逐渐减少压合重量至0，保持温度为180-200℃，保持30-50分钟，最后冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述散热基板为金属基板或陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，多个所述凹孔呈阵列排布，所述凹孔的直径为100-400微米。

4.根据权利要求1所述的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述绝缘层为氧化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝、有机复合材料中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，在所述绝缘层上形成电路布线层的具体工艺为：在所述绝缘层上沉积导电金属层，然后通过光刻工艺形成所述电路布线层。

6.根据权利要求1所述的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤(7)中，通过切割工艺或激光烧蚀工艺形成所述穿孔。

7.根据权利要求1所述的封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤(8)中，所述金属导电柱的材料为铜、铝或不锈钢。

8.一种封装构件，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。