[发明专利]一种非金属PI-g-C3 在审
申请号: | 202010141740.2 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111229282A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 王雁;赵旭;李蒋;王慧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院生态环境研究中心 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J31/02;C02F1/30;C02F1/72;C02F101/30;C02F101/34 |
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地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非金属 pi base sub | ||
1.一种非金属PI-g-C3N4纤维膜光催化剂及其制备方法,包括如下步骤:
(1)将一定量的三聚氰酸和苯并胍胺溶于去离子水中,搅拌均匀,真空抽滤,并将抽滤所得的白色粉末进行冷冻干燥,获得g-C3N4前驱体;
(2)取一定量(1)中所得g-C3N4前驱体置于研钵中,加入一定量的PI前驱体PTCDA,研磨均匀,获得PI-g-C3N4前驱体;
(3)取一定尺寸的SiO2纳米纤维膜作为衬底,置于平底坩埚内;
(4)取一定量(2)中所得PI-g-C3N4前驱体,平铺于(3)中的SiO2纳米纤维膜上,压实;
(5)将(4)所得的样品置于管式炉中煅烧,得到非金属PI-g-C3N4纤维膜光催化剂。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤(2)中,加入的PI前驱体为PTCDA,其加入量为g-C3N4前驱体的0.1%-15%。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤(3)中,所用的衬底为静电纺丝法制备的SiO2纳米纤维膜,该纤维膜的组成为SiO2纳米纤维,纤维表面光滑,纤维直径为300-500nm。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤(5)中,煅烧气氛为N2,升温速率为1-7℃/min,保温时间为1-5h。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所制备的非金属PI-g-C3N4纤维膜光催化剂不含金属元素,纤维膜由随机分布的PI-g-C3N4纤维组成。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,PI-g-C3N4纤维膜可以膜的形态置于光催化反应器中进行催化反应,在可见光照射下并加入PMS氧化剂时,可氧化降解水中有机污染物,且反应过程中纤维膜形态保持完好。
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