[发明专利]低电压存储器的存储器内建自测试纠错码(MBIST ECC)在审
申请号: | 202010143454.X | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN111798912A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | D·I·哈纳甘迪;I·阿尔索夫斯基;M·A·齐格霍弗尔;V·H·奇卡诺斯凯;K·R·罗德哈 | 申请(专利权)人: | 格芯公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C29/12;G06F11/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;杨晓光 |
地址: | 开曼群岛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 存储器 测试 纠错码 mbist ecc | ||
1.一种结构,包括存储器内建自测试(MBIST)电路,该电路被配置为修复存储器的滑动窗口的单个字线中多个图案的多单元故障。
2.根据权利要求1所述的结构,其中,所述MBIST电路被进一步配置为允许通过纠错码(ECC)来修正所述存储器的所述滑动窗口的所述单个字线中所述多个图案的单单元故障。
3.根据权利要求1所述的结构,其中,所述MBIST电路进一步包括暂存器模块,所述暂存器模块被配置为将所述滑动窗口的所述多个图案的故障存储在多个暂存寄存器中。
4.根据权利要求3所述的结构,其中,所述暂存器模块被配置为通过比较所述滑动窗口的所述多个图案的新来单元故障的行与所述多个暂存寄存器中的先前存储的故障的行,确定新来故障是所述单个字线的单单元故障还是所述单个字线的多单元故障。
5.根据权利要求4所述的结构,其中,所述MBIST电路进一步包括修复模块,所述修复模块被配置为响应于所述暂存器模块确定所述新来单元故障是所述多单元故障而修正所述多单元故障。
6.根据权利要求4所述的结构,其中,所述MBIST电路进一步包括ECC器件,所述ECC器件被配置为响应于所述暂存器模块确定所述新来单元故障是所述单单元故障而修正所述单单元故障。
7.根据权利要求3所述的结构,其中,所述暂存器模块被配置为确定所述多个暂存寄存器是否已满,并且响应于确定所述暂存寄存器已满而发送溢出信号。
8.根据权利要求7所述的结构,其中,所述MBIST电路进一步包括内建自测试(BIST)引擎,所述BIST引擎被配置为接收所述溢出信号并针对所述多个图案动态地减小滑动窗口的尺寸。
9.根据权利要求8所述的结构,其中,所述BIST引擎被进一步配置为响应于接收到所述溢出信号而将所述滑动窗口的尺寸动态地减小一半。
10.一种电路,包括:
存储器;
内建自测试输入-输出接口(BIO);
内建自测试(BIST)引擎,其被配置为与所述BIO对接以针对低电压角修复模式运行在所述存储器的滑动窗口中的多个图案;以及
暂存器模块,其被配置为将所述滑动窗口的所述多个图案的故障存储在多个暂存寄存器中。
11.根据权利要求10所述的电路,其中,所述暂存器模块被进一步配置为通过比较所述滑动窗口的所述多个图案的新来单元故障的行与所述多个暂存寄存器中的先前存储的故障的行,确定新来故障是单个字线的单单元故障还是所述单个字线的多单元故障。
12.根据权利要求11所述的电路,进一步包括修复模块,所述修复模块被配置为响应于所述暂存器模块确定所述新来单元故障是所述多单元故障而修正所述多单元故障。
13.根据权利要求11所述的电路,进一步包括ECC器件,所述ECC器件被配置为响应于所述暂存器模块确定所述新来单元故障是所述单单元故障而修正所述单单元故障。
14.根据权利要求10所述的电路,其中,所述暂存器模块被进一步配置为确定所述多个暂存寄存器是否已满,并且响应于确定所述暂存寄存器已满而发送溢出信号。
15.根据权利要求14所述的电路,其中,所述内建自测试(BIST)引擎被进一步配置为,接收来自所述暂存器模块的所述溢出信号并针对所述多个图案动态地减小滑动窗口的尺寸。
16.根据权利要求15所述的电路,其中,所述BIST引擎被进一步配置为响应于接收到所述溢出信号而将所述滑动窗口的尺寸动态地减小一半。
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