[发明专利]一种IGBT结温测量方法和测量装置

权利要求书

1.一种IGBT结温测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

建立电阻-结温对应模型，所述电阻-结温对应模型将栅极内部等效电阻与IGBT结温建立对应关系；

获取栅极外部驱动电阻R_Gext、栅极关断电压V_Gneg、栅极外部驱动电阻两端的峰值电压降V_{RGext_peak}、以及栅极导通电压V_Gpos；和

基于所述栅极外部驱动电阻R_Gext、栅极导通电压V_Gpos、栅极关断电压V_Gneg和栅极外部驱动电阻两端的峰值电压降V_{RGext_peak}，计算得到栅极内部等效电阻R_Gint，结合所述电阻-结温对应模型获得IGBT结温；

其中，所述建立电阻-结温对应模型时采用双脉冲测试电路，包括以下步骤：

a、将IGBT预热以达到设定温度T_j，其中j＝0；

b、将第一个脉冲施加到Aux IGBT一段时间，以确保达到目标负载水平；

c、在去除第一个脉冲之后且DUT IGBT导通之前，对栅极关断电压V_Gneg进行采样；

d、在第二个脉冲到来之后且DUT IGBT导通之前，对栅极外部驱动电阻R_Gext两端的峰值电压V_{RGext_peak}进行采样；

e、当DUT IGBT完全导通时，对栅极导通电压V_Gpos进行采样；

f、根据式计算温度T_j下的R_Gint值，然后重复执行步骤b到e，对栅极导通电压V_Gpos、栅极关断电压V_Gneg和栅极外部驱动电阻R_Gext两端的峰值电压降V_{RGext_peak}进行采样以计算R_Gint值，步骤b到步骤e的重复执行次数至少是2次，最后对R_Gint值取平均值；

g、改变预设温度T_j为T_j+1，T_j+1＝T_j+k，k为温度变化步长，重复执行步骤b到步骤f，得到温度T_j+1下的R_Gint值，当预设温度值超过125℃时，停止循环计算；

h、将获得的全部R_Gint值以及对应的温度值T_j，进行数据拟合，获取R_Gint和T_j之间的电阻-结温对应模型。

2.根据权利要求1所述的IGBT结温测量方法，其特征在于，其中，T_j＝20℃。

3.根据权利要求1所述的IGBT结温测量方法，其特征在于，所述电阻-结温对应模型是离散化的电阻-结温查找表，被预置在处理器中，所述处理器用于基于所述栅极外部驱动电阻R_Gext、栅极导通电压V_Gpos、栅极关断电压V_Gneg和栅极外部驱动电阻两端的峰值电压降V_{RGext_peak}，计算得到栅极内部等效电阻R_Gint，和结合所述电阻-结温查找表获得IGBT结温。

4.根据权利要求1所述的IGBT结温测量方法，其特征在于，所述栅极外部驱动电阻R_Gext两端的峰值电压降V_{RGext_peak}是通过差分放大器和峰值检测器获得的。

5.根据权利要求1所述的IGBT结温测量方法，其特征在于，所述IGBT结温测量方法的执行不干扰IGBT器件的正常运行。