[发明专利]重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容

权利要求书

1.一种用于操作金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的电路，所述电路包括：

所述MOSFET，包括：

第一导电类型的源极区和漏极区；

第二导电类型的主体区域，所述主体区域位于所述源极区和所述漏极区的至少一部分下方；和

所述第一导电类型的掩埋区，所述掩埋区设置在所述主体区域和基板之间，所述掩埋区被配置有掺杂剂浓度或在距离所述源极区和漏极区一定距离处，以响应于施加到所述主体区域的反向偏置电压通过耗尽与所述漏极或源极区相邻的主体区域来减小所述源极区和所述漏极区之间的电容；以及

子电路，耦合到所述主体区域以在所述MOSFET关断时将所述反向偏置电压选择性地施加到所述主体区域并且在所述MOSFET接通时选择性地移除所述反向偏置电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其中为了减小所述源极区和所述漏极区之间的电容，所述掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的反向偏置电压来耗尽所述主体区域在所述源极区和所述漏极区下方的区域。

3.根据权利要求1所述的电路，其中当所述MOSFET关断时，所有反向偏置电压被配置为反向偏置在所述主体区域和所述掩埋区之间的界面处形成的结。

4.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述主体区域包括p型掺杂材料，并且所述掩埋区包括n型掺杂材料，或者

所述主体区域包括n型掺杂材料，并且所述掩埋区包括p型掺杂材料。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述主体区域的掺杂剂浓度比所述基板的掺杂剂浓度高5至100倍。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述基板还包括双极结型晶体管。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述掩埋区的掺杂水平高于所述主体区域的掺杂水平。

8.根据权利要求1所述的电路，还包括：

与所述主体区域耦合的第一端子；和

与所述掩埋区耦合的第二端子。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述掩埋区固定地耦合到地电压。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述子电路将地电压和所述反向偏置电压选择性地耦合到所述主体区域。

11.一种操作包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的电路以减小MOSFET的截止电容的方法，该方法包括：

获得MOSFET，所述MOSFET包括：

第一导电类型的源极区和漏极区；

第二导电类型的主体区域，所述主体区域在所述源极区和漏极区的至少一部分下面；以及

所述第一导电类型的掩埋区，所述掩埋区部署在所述主体区域与基板之间，所述掩埋区被配置为响应于施加在所述主体区域与所述掩埋区之间的指示电压来降低所述源极区与漏极区之间的电容；

将第一电压固定地耦合到所述掩埋区；

当所述MOSFET关断时，通过将第二电压耦合到所述主体区域以反向偏置所述主体区域与所述掩埋区之间的结来降低所述MOSFET的截止电容；以及

当所述MOSFET接通时，将所述第一电压或第三电压耦合到所述主体区域以移除所述主体区域与所述掩埋区之间的结的反向偏置。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述第一电压固定地耦合到所述掩埋区包括在所述MOSFET接通和所述MOSFET关断时均将所述掩埋区耦合到电气地。

13.根据权利要求11所述的方法，其中将所述掩埋区固定地耦合到所述第一电压包括将所述基板的电压固定地耦合到所述掩埋区。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二导电类型是n型，所述第一电压是电气地，并且所述第二电压是负电源电压。