[发明专利]一种低烧微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低烧微波介质陶瓷材料，其特征在于，以所述微波介质陶瓷材料的制备原料总量计，由如下质量含量的组分组成：

BaZrO₃ 40-70wt%；

Mg₂SiO₄ 10-40wt%；

改性添加剂 0.5-10wt%；

助烧剂 5-20wt%；其中，

所述改性添加剂由如下组分组成：

MnCO₃ 0.3-1.0wt%；

Al₂O₃ 0.05-0.3wt%；

CoO 0.05-0.5wt%；

CaCO₃ 1-5wt%；

TiO₂ 1-5wt%；

所述助烧剂以其总量计，由如下质量含量的组分组成：

LiOH 10-40wt%；

ZnO 15-45wt%；

Bi₂O₃ 0-5wt%；

H₃BO₃ 5-15wt%；

SiO₂ 10-20wt%；

MgO 1-5wt%。

2.一种制备权利要求1所述低烧微波介质陶瓷材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）取选定成分和含量的所述改性添加剂混匀，经熔制及淬火处理后，研磨成粉体，备用；

（2）取选定成分和含量的所述助烧剂混匀，经熔制及淬火处理后，研磨成粉体，备用；

（3）取选定含量的所述BaZrO₃、Mg₂SiO₄、改性添加剂和助烧剂混合并进行球磨处理，并加入胶液进行喷雾造粒，即得所需低烧微波介质陶瓷材料。

3.根据权利要求2所述低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，还包括制备所述BaZrO₃的步骤，具体包括以BaCO₃、ZrO2 按摩尔比1：1的比例球磨混合均匀后，于1000-1100℃进行煅烧2-5小时的步骤。

4.根据权利要求2或3所述低烧微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，还包括制备所述Mg₂SiO₄的步骤，具体包括以Mg(OH)₂、SiO₂ 按摩尔比2：1的比例球磨混合均匀后，于1000-1200℃进行煅烧3-5小时的步骤。

5.一种微波陶瓷电容器，其特征在于，由权利要求1所述低烧微波介质陶瓷材料制得。

6.一种制备权利要求5所述微波陶瓷电容器的方法，其特征在于，包括将权利要求1所述低烧微波介质陶瓷材料经干压成型后于900℃-930℃进行烧结2-8h的步骤。