[发明专利]一种3D NAND存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，在相互正交的第一方向和第二方向上，所述衬底具有衬底表面，沿与所述衬底表面垂直的第三方向在所述衬底表面上形成由绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；

在所述堆叠结构的中形成多个第一顶部选择栅切线；

在所述堆叠结构中形成沿所述第一方向延伸的栅线缝隙，所述栅线缝隙穿过所述第一顶部选择栅切线，并且在所述第一顶部选择栅切线处，所述第一顶部选择栅切线形成所述栅线缝隙的侧壁；

在所述栅线缝隙中形成共源极，在所述第一顶部选择栅切线处，所述第一顶部选择栅切线覆盖所述共源极的侧壁；

形成与所述共源极电性导通的接触部，所述接触部位于侧壁由所述第一顶部选择栅切线覆盖的所述共源极上方；

其中，在所述第二方向上，所述第一顶部选择栅切线的宽度大于所述栅线缝隙的宽度。

2.根据权利要求1所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，提供衬底，在相互正交的第一方向和第二方向上，所述衬底具有衬底表面，沿与所述衬底表面垂直的第三方向在所述衬底表面上形成由绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构还包括以下步骤：

在所述衬底上依次沉积所述绝缘层和所述牺牲层形成第一堆叠结构；

在所述第一堆叠结构中形成沿所述第三方向贯穿所述堆叠结构的下沟道孔；

在所述第一堆叠结构上方继续沉积所述绝缘层和所述牺牲层形成第二堆叠结构。

3.根据权利要求1所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，还包括：在所述堆叠结构的中形成至少一个第二顶部选择栅切线。

4.根据权利要求3所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，在所述堆叠结构的顶部形成多个第一顶部选择栅切线包括以下步骤：

刻蚀所述堆叠结构，形成多个第一沟槽，所述第一沟槽在所述第一方向上间隔分布；

在所述第一沟槽中填充绝缘材料，形成所述顶部选择栅切线。

5.根据权利要求4所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，在所述堆叠结构的中形成至少一个第二顶部选择栅切线包括以下步骤：

刻蚀所述堆叠结构，形成至少一个第二沟槽，所述第二沟槽在所述第一方向上连续延伸；

在所述第二沟槽中填充绝缘材料，形成所述第二顶部选择栅切线。

6.根据权利要求5所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第三方向上的深度介于1～10层所述堆叠结构。

7.根据权利要求1所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，所述第一顶部选择栅切线包括在所述第二方向上相互间隔的第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分之间的间隔距离小于等于所述栅线缝隙的宽度。

8.根据权利要求2所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

刻蚀所述第二堆叠结构形成上沟道孔，所述上沟道孔与所述下沟道孔贯通，形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；

在所述沟道孔的底部形成选择性外延结构；

在所述沟道孔的侧壁上依次形成阻挡层、电荷捕获层、遂穿层以及沟道层，所述沟道层与所述选择性外延结构连通；

在所述沟道孔中填充介电层。

9.根据权利要求1所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，还包括：

通过所述栅线缝隙刻蚀去除所述堆叠结构中的所述牺牲层，形成栅极沟槽；

在所述栅极沟槽中沉积栅极导电材料，形成栅极层。

10.根据权利要求1所述的3D NAND存储器制造方法，其特征在于，在所述栅线缝隙中形成共源极还包括以下步骤：

在所述栅线缝隙底部形成底部导电层；

在所述栅线缝隙的侧壁上形成栅极隔离层；

在所述栅线缝隙中填充源极导电材料；

在所述源极导电材料上方形成所述共源极接触。