[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成源漏掺杂层；

在所述源漏掺杂层表面沉积形成绝缘层；

形成所述绝缘层之后，在部分所述源漏掺杂层表面形成沟道柱，且所述沟道柱贯穿所述绝缘层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的形成工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮硼化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为3纳米～20纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂层的形成工艺包括：外延生长工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟道柱的形成方法包括：在所述绝缘层表面形成牺牲层；在所述牺牲层和绝缘层内形成开口，所述开口底部暴露出源漏掺杂层表面；在所述开口内形成沟道柱；形成所述沟道柱之后，去除所述牺牲层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形成方法包括：在所述牺牲层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分牺牲层表面；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述牺牲层和绝缘层，直至暴露出源漏掺杂层表面，在所述牺牲层和绝缘层内形成所述开口。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟道柱的形成工艺包括：外延生长工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述沟道柱之后，在所述沟道柱部分侧壁表面形成栅极结构、以及位于栅极结构侧壁表面的隔离层，且所述栅极结构顶部表面低于所述沟道柱顶部表面，所述隔离层顶部表面低于所述沟道柱顶部表面。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，部分所述栅极结构还延伸到所述沟道柱一侧的绝缘层表面。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层顶部表面齐平于所述栅极结构顶部表面；所述栅极结构和所述隔离层的形成方法包括：在所述绝缘层表面、以及沟道柱顶部表面和侧壁表面形成初始栅极结构；在所述初始栅极结构表面形成初始隔离层，且所述初始隔离层顶部表面齐平于所述初始栅极结构的顶部表面；回刻蚀所述初始隔离层，形成所述隔离层，所述隔离层暴露出位于沟道柱侧壁和顶部表面的部分初始栅极结构；刻蚀所述初始栅极结构，停止在隔离层表面，形成所述栅极结构。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括若干第一区、以及位于相邻第一区之间的第二区；所述初始栅极结构的形成方法包括：在所述绝缘层表面、以及沟道柱顶部表面和侧壁表面形成初始栅介质膜；在所述初始栅介质层表面形成初始功函数膜；在所述初始功函数膜表面形成初始栅电极膜；刻蚀位于第二区上的初始栅电极膜、初始功函数膜以及初始栅介质膜，直至暴露出第二区上的绝缘层表面，使第一区上的所述初始栅电极膜形成初始栅电极层，使第一区上的所述初始功函数膜形成初始功函数层，使第一区上的所述初始栅介质膜形成初始栅介质层，所述初始栅电极层、初始功函数层以及初始栅介质层构成所述初始栅极结构。

13.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述栅极结构之后，在所述基底上形成介质层，所述沟道柱位于所述介质层内；在所述介质层和隔离层内形成第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞，所述第一导电插塞与所述栅极结构电连接，所述第二导电插塞与所述沟道柱顶部电连接，所述第三导电插塞与所述源漏掺杂层电连接。